The diffusion phenomena of electrons in semiconductors due to velocity fluctuations in presence og high electric fields is reviewed.

Transient and Stationary properties of hot-carrier diffusivity in semiconductors / Brunetti, R., Jacoboni, C. - In: Semiconductors probed by ultrafast laser spectroscopy / R. Alfano. - STAMPA. - New York : Academic Press, 1984. - ISBN 0120499010. - pp. 367-412

Transient and Stationary properties of hot-carrier diffusivity in semiconductors

BRUNETTI, Rossella;JACOBONI, Carlo
1984

Abstract

The diffusion phenomena of electrons in semiconductors due to velocity fluctuations in presence og high electric fields is reviewed.
1984
Inglese
Semiconductors probed by ultrafast laser spectroscopy
1
367
412
0120499010
Academic Press
STATI UNITI D'AMERICA
New York
Hot carriers; semiconductors; noise and diffusion
Transient and Stationary properties of hot-carrier diffusivity in semiconductors / Brunetti, R., Jacoboni, C. - In: Semiconductors probed by ultrafast laser spectroscopy / R. Alfano. - STAMPA. - New York : Academic Press, 1984. - ISBN 0120499010. - pp. 367-412
Brunetti, Rossella; Jacoboni, Carlo
2
Contributo su VOLUME::Capitolo/Saggio
268
none
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