We present the results of the total-energy calculations for different adsorption geometries of atomic hydrogen on GaAs (110) and the corresponding changes in the surface electronic states. In particular we discuss the problem of the quenching of the substrate relaxation.

Hydrogen adsorption on compound semiconductor surfaces / Bertoni, Carlo Maria; M., Buongiorno Nardelli; Molinari, Elisa. - In: VACUUM. - ISSN 0042-207X. - STAMPA. - 41:(1990), pp. 663-666. [10.1016/S0042-207X(05)80155-1]

Hydrogen adsorption on compound semiconductor surfaces

BERTONI, Carlo Maria;MOLINARI, Elisa
1990-01-01

Abstract

We present the results of the total-energy calculations for different adsorption geometries of atomic hydrogen on GaAs (110) and the corresponding changes in the surface electronic states. In particular we discuss the problem of the quenching of the substrate relaxation.
41
663
666
Hydrogen adsorption on compound semiconductor surfaces / Bertoni, Carlo Maria; M., Buongiorno Nardelli; Molinari, Elisa. - In: VACUUM. - ISSN 0042-207X. - STAMPA. - 41:(1990), pp. 663-666. [10.1016/S0042-207X(05)80155-1]
Bertoni, Carlo Maria; M., Buongiorno Nardelli; Molinari, Elisa
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