EnglishAn overview on the theoretical background of transport physics is presented together with a discussion of the most recent improvements to the traditional scheme.
Monte CArlo Simulation of Silicon devices / A., Abramo; Brunetti, Rossella; C., Fiegna; Jacoboni, Carlo; Riccò, B. B.; E., Sangiorgi; F., Venturi. - STAMPA. - (1993), pp. 155-220.
| Data di pubblicazione: | 1993 |
| Titolo: | Monte CArlo Simulation of Silicon devices |
| Autore/i: | A., Abramo; Brunetti, Rossella; C., Fiegna; Jacoboni, Carlo; Riccò, B. B.; E., Sangiorgi; F., Venturi |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Titolo del libro: | Process and Device Modeling for Microelectronics |
| ISBN: | 0444899626 |
| Editore: | Elsevier |
| Nazione editore: | PAESI BASSI |
| Citazione: | Monte CArlo Simulation of Silicon devices / A., Abramo; Brunetti, Rossella; C., Fiegna; Jacoboni, Carlo; Riccò, B. B.; E., Sangiorgi; F., Venturi. - STAMPA. - (1993), pp. 155-220. |
| Tipologia | Capitolo/Saggio |
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