An overview on the theoretical background of transport physics is presented together with a discussion of the most recent improvements to the traditional scheme.
Monte CArlo Simulation of Silicon devices / A., A., Brunetti, R., C., F., Jacoboni, C., Riccò, B.B., E., S., F., V. - In: Process and Device Modeling for Microelectronics / G. Baccarani. - STAMPA. - Amsterdam : Elsevier, 1993. - ISBN 0444899626. - pp. 155-220
Monte CArlo Simulation of Silicon devices
BRUNETTI, Rossella;JACOBONI, Carlo;
1993
Abstract
An overview on the theoretical background of transport physics is presented together with a discussion of the most recent improvements to the traditional scheme.
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