An overview on the theoretical background of transport physics is presented together with a discussion of the most recent improvements to the traditional scheme.

Monte CArlo Simulation of Silicon devices / A., Abramo; Brunetti, Rossella; C., Fiegna; Jacoboni, Carlo; Riccò, B. B.; E., Sangiorgi; F., Venturi. - STAMPA. - (1993), pp. 155-220.

Monte CArlo Simulation of Silicon devices

BRUNETTI, Rossella;JACOBONI, Carlo;
1993

Abstract

An overview on the theoretical background of transport physics is presented together with a discussion of the most recent improvements to the traditional scheme.
1993
Process and Device Modeling for Microelectronics
0444899626
Elsevier
PAESI BASSI
Monte CArlo Simulation of Silicon devices / A., Abramo; Brunetti, Rossella; C., Fiegna; Jacoboni, Carlo; Riccò, B. B.; E., Sangiorgi; F., Venturi. - STAMPA. - (1993), pp. 155-220.
A., Abramo; Brunetti, Rossella; C., Fiegna; Jacoboni, Carlo; Riccò, B. B.; E., Sangiorgi; F., Venturi
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