Viene descritto l'effetto di piezoresistenza in metalli e semiconduttori. E' presentata la struttutura di un sensore di pressione e descritti l'elemento sensibile e di trasduzione. Oltre alla tecnologia costruttiva è presentata il principio operativo per sensori basati elementi sensibili metallici e a semiconduttore. E' infine presentata l'evoluzione di tecnologie realizzative dei sensori di pressione verso l'applicazione industriale.
Trasduttori di pressione ad effetto piezoresistivo: vent'anni di ricerca verso l'applicazione industriale / Morten, Bruno; M., Prudenziati; A., Taroni. - In: FISICA E TECNOLOGIA. - ISSN 0391-9757. - STAMPA. - 1:(1978), pp. 5-18.
Trasduttori di pressione ad effetto piezoresistivo: vent'anni di ricerca verso l'applicazione industriale
MORTEN, Bruno;
1978
Abstract
Viene descritto l'effetto di piezoresistenza in metalli e semiconduttori. E' presentata la struttutura di un sensore di pressione e descritti l'elemento sensibile e di trasduzione. Oltre alla tecnologia costruttiva è presentata il principio operativo per sensori basati elementi sensibili metallici e a semiconduttore. E' infine presentata l'evoluzione di tecnologie realizzative dei sensori di pressione verso l'applicazione industriale.
Pubblicazioni consigliate
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris
