In questi ultimi anni si è assistito ad un crescente interesse per lo studio e la conoscenza delle interazioni che avvengono a basse temperature ed in fase solida fra silicio ed i film sottili usati nelle metallizzazioni in quanto fortemente correlate con le prestazioni, l'affidabilità e la stabilità dei dispositivi.Queste interazioni possono essere suddivise in due categorie: quelle che danno luogo a soluzioni solide dei due elementi e quelle che portano alla formazione di composti. Entrambe le categorie includono metalli di vasto impiego nella tecnologia dei dispositivi quali ad esempio l'Al e l'Au, con cui il silicio forma soluzioni solide, ed il Pt e Pd con cui il silicio forma composti, i siliciuri, attualmente usati per le metallizzazioni dei dispositivi ad alta affidabilità e stabilità.L'articolo si propone di fornire una rassegna dei dati ottenuti nello studio delle interazioni in fase solida silicio-film metallici sottili allo scopo di mostrare quale rilevanza essi possono avere nella progettazione e nella tecnologia dei dispositivi al silicio.

Interazioni silicio-film metallici nella tecnologia dei dispositivi elettronici / C., Canali; G., Majni; Morten, Bruno; G., Ottaviani. - In: ALTA FREQUENZA. - ISSN 0002-6557. - STAMPA. - XLVI(1977), pp. 12-24.

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