Some experimental results obtained at 300 K and 77 are presented regardind the silicon crystal doped with boron.
Some uniaxial piezoresistive effects in p-type silicon / Morten, Bruno; A., Taroni. - In: LETTERE AL NUOVO CIMENTO DELLA SOCIETÀ ITALIANA DI FISICA. - ISSN 0375-930X. - STAMPA. - 14:(1975), pp. 305-307.
Some uniaxial piezoresistive effects in p-type silicon
MORTEN, Bruno;
1975
Abstract
Some experimental results obtained at 300 K and 77 are presented regardind the silicon crystal doped with boron.
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris
