This note are presented some experimental results on piezoresistive properties of p-type-boron doped silicon epitazial layers grown on single-crystal n-type silicon substrates.
Piezoresistive effects in sicon epitaxial layers / F., Conti; Morten, Bruno; C., Nobili; A., Taroni. - In: PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLIED RESEARCH. - ISSN 0031-8965. - STAMPA. - 19:(1973), pp. K133-K136. [10.1002/pssa.2210190251]
Piezoresistive effects in sicon epitaxial layers
MORTEN, Bruno;
1973
Abstract
This note are presented some experimental results on piezoresistive properties of p-type-boron doped silicon epitazial layers grown on single-crystal n-type silicon substrates.
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate
Caricamento pubblicazioni consigliate
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris
