Chalcogenide GST materials can suitably beexploited for manufacturing phase-change memory devices.In this paper a transport model for the amorphousphase of GST is investigated, based on the variable-range,hopping-electron model. The model is implemented bythe Monte Carlo method using the current-driven mode inboth implementations. It is applied to a device consistingof a nanometric layer of amorphous Ge2Sb2Te5 in contactwith two planar metallic electrodes. The mechanisms governingelectron transport within the device are discussedin relation to the variation of external parameters, such asoperating current and trap density.
Investigation of charge transport in amorphous ge2sb2te5 using the variable-range hopping model / E., Piccinini; F., Buscemi; T., Tsafack; M., Rudan; Brunetti, Rossella; Jacoboni, Carlo. - STAMPA. - 1(2009), pp. 230-233. ((Intervento presentato al convegno 2009 International Conference on simulation of semiconductor processes and devices tenutosi a San Diego (CA, USA) nel september 9-11 2009.
Data di pubblicazione: | 2009 |
Titolo: | Investigation of charge transport in amorphous ge2sb2te5 using the variable-range hopping model |
Autore/i: | E., Piccinini; F., Buscemi; T., Tsafack; M., Rudan; Brunetti, Rossella; Jacoboni, Carlo |
Autore/i UNIMORE: | |
Codice identificativo ISI: | WOS:000277103100055 |
Nome del convegno: | 2009 International Conference on simulation of semiconductor processes and devices |
Luogo del convegno: | San Diego (CA, USA) |
Data del convegno: | september 9-11 2009 |
Volume: | 1 |
Pagina iniziale: | 230 |
Pagina finale: | 233 |
Citazione: | Investigation of charge transport in amorphous ge2sb2te5 using the variable-range hopping model / E., Piccinini; F., Buscemi; T., Tsafack; M., Rudan; Brunetti, Rossella; Jacoboni, Carlo. - STAMPA. - 1(2009), pp. 230-233. ((Intervento presentato al convegno 2009 International Conference on simulation of semiconductor processes and devices tenutosi a San Diego (CA, USA) nel september 9-11 2009. |
Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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