Investigation of charge transport in amorphous ge2sb2te5 using the variable-range hopping model

Piccinini, E.; Buscemi, F.; Tsafack, T.; Rudan, M.; Brunetti, Rossella; Jacoboni, Carlo

Chalcogenide GST materials can suitably beexploited for manufacturing phase-change memory devices.In this paper a transport model for the amorphousphase of GST is investigated, based on the variable-range,hopping-electron model. The model is implemented bythe Monte Carlo method using the current-driven mode inboth implementations. It is applied to a device consistingof a nanometric layer of amorphous Ge2Sb2Te5 in contactwith two planar metallic electrodes. The mechanisms governingelectron transport within the device are discussedin relation to the variation of external parameters, such asoperating current and trap density.

Investigation of charge transport in amorphous ge2sb2te5 using the variable-range hopping model / E., Piccinini; F., Buscemi; T., Tsafack; M., Rudan; Brunetti, Rossella; Jacoboni, Carlo. - STAMPA. - 1(2009), pp. 230-233. ((Intervento presentato al convegno 2009 International Conference on simulation of semiconductor processes and devices tenutosi a San Diego (CA, USA) nel september 9-11 2009.

Data di pubblicazione:	2009
Titolo:	Investigation of charge transport in amorphous ge2sb2te5 using the variable-range hopping model
Autore/i:	E., Piccinini; F., Buscemi; T., Tsafack; M., Rudan; Brunetti, Rossella; Jacoboni, Carlo
Autore/i UNIMORE:	E. Piccinini F. Buscemi T. Tsafack M. Rudan BRUNETTI, Rossella JACOBONI, Carlo mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Codice identificativo ISI:	WOS:000277103100055
Nome del convegno:	2009 International Conference on simulation of semiconductor processes and devices
Luogo del convegno:	San Diego (CA, USA)
Data del convegno:	september 9-11 2009
Volume:	1
Pagina iniziale:	230
Pagina finale:	233
Citazione:	Investigation of charge transport in amorphous ge2sb2te5 using the variable-range hopping model / E., Piccinini; F., Buscemi; T., Tsafack; M., Rudan; Brunetti, Rossella; Jacoboni, Carlo. - STAMPA. - 1(2009), pp. 230-233. ((Intervento presentato al convegno 2009 International Conference on simulation of semiconductor processes and devices tenutosi a San Diego (CA, USA) nel september 9-11 2009.
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

File in questo prodotto:

Non ci sono file associati a questo prodotto.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
http://hdl.handle.net/11380/703951

Citazioni

I documenti presenti in Iris Unimore sono rilasciati con licenza Creative Commons Attribuzione - Non commerciale - Non opere derivate 3.0 Italia, salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris