Trapping levels in anthracene crystals by thermally stimulated currents

Thermally stimulated current (T.S.C.) measurements in anthracene crystals indicate the presence of various trapping levels. By regulating the excitation time and the excitation temperature we could isolate a monomolecular T.S.C. signal withE = (0.53 ± 0.03) eV and ϕ = 0.6.108 s-1 and determine the sign of the trapped carriers. The results obtained support the hypothesis that a level is involved which is strictly connected with the crystal lattice and presumably associated with chemical impurities contained in the crystal. Misure di correnti termicamente stimolate (T.S.C.) in cristalli di antracene hanno permesso di accertare la presenza di vari livelli di intrappolamento. Regolando tempo e temperatura di irraggiamento è stato possibile isolare un segnale di T.S.C. monomolecolare conE = (0.53 ± 0.03) eV e ϕ = 0.6 . 108 s-1. È stato inoltre accertato il segno dei portatori intrappolati. I risultati ottenuti avvalorano l’ipotesi che si tratti di un livello strettamente connesso con il reticolo cristallino, presumibilmente associate ad impurezze chimichc contenute nell’interno del cristallo. Измерения термическ и стимулированного т ока в кристаллах антрацена указывает на присутствие разли чных уровней ловушек. Регулируя время возбуждения и темпер атуру возбуждения, мы можем изолировать си гнал мономолекулярного т ермически стимулиро ванного тока сЕ= (0.53 ± 0.03) эВ и ϕ=0.6·108 сек-1 и кроме то го определить знак за хваченных носителей. Полученны е результаты подтвер ждают гипотезу, что им еется один уровень, тесно связанный с кри сталлической решетк ой и, вероятно, с химиче скими примесями, содержащимися внутр и кристалла.