Single event leakage current in Flash memory

Cellere, G.; Larcher, Luca; Paccagnella, A.; Visconti, A.; Bonanomi, M.

Flash memories are the leader among nonvolatile memory technologies. Ionizing radiation impact their reliability both on the control circuitry and on the memory array itself. In particular, in FGs hit by ions the tracks of defects generated by ions in the tunnel oxide may result in a radiation induced leakage current (RILC), which can leads to retention problems in hit FGs. We are demonstrating and modeling this phenomenon in a state-of-the-art Floating Gate memory technology. We are also showing that RILC has a peculiar erratic behavior

Single event leakage current in Flash memory / G., Cellere; Larcher, Luca; A., Paccagnella; A., Visconti; M., Bonanomi. - STAMPA. - 1(2006), pp. 1-4. ((Intervento presentato al convegno Integrated Circuit Design and Technology, 2006. ICICDT '06. 2006 IEEE International Conference on tenutosi a Padova (Italy) nel 24-26, May, 2006.

Data di pubblicazione:	2006
Titolo:	Single event leakage current in Flash memory
Autore/i:	G., Cellere; Larcher, Luca; A., Paccagnella; A., Visconti; M., Bonanomi
Autore/i UNIMORE:	G. CELLERE LARCHER, Luca A. PACCAGNELLA A. VISCONTI M. BONANOMI mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-37649028093
Codice identificativo ISI:	WOS:000239593100060
Nome del convegno:	Integrated Circuit Design and Technology, 2006. ICICDT '06. 2006 IEEE International Conference on
Luogo del convegno:	Padova (Italy)
Data del convegno:	24-26, May, 2006
Volume:	1
Pagina iniziale:	1
Pagina finale:	4
Citazione:	Single event leakage current in Flash memory / G., Cellere; Larcher, Luca; A., Paccagnella; A., Visconti; M., Bonanomi. - STAMPA. - 1(2006), pp. 1-4. ((Intervento presentato al convegno Integrated Circuit Design and Technology, 2006. ICICDT '06. 2006 IEEE International Conference on tenutosi a Padova (Italy) nel 24-26, May, 2006.
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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http://hdl.handle.net/11380/604974

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