EnglishThe paper addresses the calculation of the band structure fordifferent phases of the chalcogenide Ge2Sb2Te5 compound,which is raising considerable interest in view of the applications tothe nonvolatile-memory technology. The band structure is necessary fordetermining the charge- and heat-transport properties of the material.The band diagram of the face-centered cubic phase, which is the mostimportant one for the operation of phase-change memories, is shown forthe first time.
Band calculation for the exagonal and FCC Chalcogenide Ge2Sb2Te5 / E., Piccinini; T., Tsafack; F., Buscemi; Brunetti, Rossella; M., Rudan; Jacoboni, Carlo. - STAMPA. - 13(2008), pp. 229-232. ((Intervento presentato al convegno Simulation of semiconductor Devices and Processes tenutosi a Hakone (Japan) nel 9-11 sept 2008.
| Data di pubblicazione: | 2008 |
| Titolo: | Band calculation for the exagonal and FCC Chalcogenide Ge2Sb2Te5 |
| Autore/i: | E., Piccinini; T., Tsafack; F., Buscemi; Brunetti, Rossella; M., Rudan; Jacoboni, Carlo |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-67650388211 |
| Nome del convegno: | Simulation of semiconductor Devices and Processes |
| Luogo del convegno: | Hakone (Japan) |
| Data del convegno: | 9-11 sept 2008 |
| Volume: | 13 |
| Pagina iniziale: | 229 |
| Pagina finale: | 232 |
| Citazione: | Band calculation for the exagonal and FCC Chalcogenide Ge2Sb2Te5 / E., Piccinini; T., Tsafack; F., Buscemi; Brunetti, Rossella; M., Rudan; Jacoboni, Carlo. - STAMPA. - 13(2008), pp. 229-232. ((Intervento presentato al convegno Simulation of semiconductor Devices and Processes tenutosi a Hakone (Japan) nel 9-11 sept 2008. |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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