Band calculation for the exagonal and FCC Chalcogenide Ge2Sb2Te5

Piccinini, E.; Tsafack, T.; Buscemi, F.; Brunetti, Rossella; Rudan, M.; Jacoboni, Carlo

doi:10.1109/SISPAD.2008.4648279

The paper addresses the calculation of the band structure fordifferent phases of the chalcogenide Ge2Sb2Te5 compound,which is raising considerable interest in view of the applications tothe nonvolatile-memory technology. The band structure is necessary fordetermining the charge- and heat-transport properties of the material.The band diagram of the face-centered cubic phase, which is the mostimportant one for the operation of phase-change memories, is shown forthe first time.

Band calculation for the exagonal and FCC Chalcogenide Ge2Sb2Te5 / E., Piccinini; T., Tsafack; F., Buscemi; Brunetti, Rossella; M., Rudan; Jacoboni, Carlo. - STAMPA. - 13(2008), pp. 229-232. ((Intervento presentato al convegno 2008 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD 2008 tenutosi a Hakone (Japan) nel 9-11 sept 2008 [10.1109/SISPAD.2008.4648279].

Data di pubblicazione:	2008
Titolo:	Band calculation for the exagonal and FCC Chalcogenide Ge2Sb2Te5
Autore/i:	E., Piccinini; T., Tsafack; F., Buscemi; Brunetti, Rossella; M., Rudan; Jacoboni, Carlo
Autore/i UNIMORE:	E. Piccinini T. Tsafack F. Buscemi BRUNETTI, Rossella M. Rudan JACOBONI, Carlo mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/SISPAD.2008.4648279
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-67650388211
Codice identificativo ISI:	WOS:000260373200058
Nome del convegno:	2008 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD 2008
Luogo del convegno:	Hakone (Japan)
Data del convegno:	9-11 sept 2008
Volume:	13
Pagina iniziale:	229
Pagina finale:	232
Citazione:	Band calculation for the exagonal and FCC Chalcogenide Ge2Sb2Te5 / E., Piccinini; T., Tsafack; F., Buscemi; Brunetti, Rossella; M., Rudan; Jacoboni, Carlo. - STAMPA. - 13(2008), pp. 229-232. ((Intervento presentato al convegno 2008 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD 2008 tenutosi a Hakone (Japan) nel 9-11 sept 2008 [10.1109/SISPAD.2008.4648279].
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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