The paper addresses the calculation of the band structure fordifferent phases of the chalcogenide Ge2Sb2Te5 compound,which is raising considerable interest in view of the applications tothe nonvolatile-memory technology. The band structure is necessary fordetermining the charge- and heat-transport properties of the material.The band diagram of the face-centered cubic phase, which is the mostimportant one for the operation of phase-change memories, is shown forthe first time.
Band calculation for the exagonal and FCC Chalcogenide Ge2Sb2Te5 / E., Piccinini; T., Tsafack; F., Buscemi; Brunetti, Rossella; M., Rudan; Jacoboni, Carlo. - STAMPA. - 13(2008), pp. 229-232. ((Intervento presentato al convegno 2008 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD 2008 tenutosi a Hakone (Japan) nel 9-11 sept 2008 [10.1109/SISPAD.2008.4648279].
Data di pubblicazione: | 2008 | |
Titolo: | Band calculation for the exagonal and FCC Chalcogenide Ge2Sb2Te5 | |
Autore/i: | E., Piccinini; T., Tsafack; F., Buscemi; Brunetti, Rossella; M., Rudan; Jacoboni, Carlo | |
Autore/i UNIMORE: | ||
Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/SISPAD.2008.4648279 | |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-67650388211 | |
Codice identificativo ISI: | WOS:000260373200058 | |
Nome del convegno: | 2008 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD 2008 | |
Luogo del convegno: | Hakone (Japan) | |
Data del convegno: | 9-11 sept 2008 | |
Volume: | 13 | |
Pagina iniziale: | 229 | |
Pagina finale: | 232 | |
Citazione: | Band calculation for the exagonal and FCC Chalcogenide Ge2Sb2Te5 / E., Piccinini; T., Tsafack; F., Buscemi; Brunetti, Rossella; M., Rudan; Jacoboni, Carlo. - STAMPA. - 13(2008), pp. 229-232. ((Intervento presentato al convegno 2008 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD 2008 tenutosi a Hakone (Japan) nel 9-11 sept 2008 [10.1109/SISPAD.2008.4648279]. | |
Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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