Due to their wurzite structure, GaN quantum wells and dots arecharacterized by large built-in piezoelectric fields.These induce a spatial separation between the confined electron andholes, thus favouring the formation of electric dipoles.Here, we theoretically investigate the effects of the long-range,dipole-dipole interaction between two excitons in a GaN/Al(x)Ga(1-x)Nmicrodisk.These Coulomb interactions are shown to strongly affect the biexcitonground state. In particular, they induce strong spatial correlationsbetween the two excitons and result in biexciton binding energiesof the order of 1 meV.
Coulomb-induced nonlinearities in GaN microdisks / S., Shojaei; F., Troiani; A., Asgari; M., Kalafi; Goldoni, Guido. - In: THE EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL. B, CONDENSED MATTER PHYSICS. - ISSN 1434-6028. - STAMPA. - 65(2008), pp. 505-509.
Data di pubblicazione: | 2008 |
Titolo: | Coulomb-induced nonlinearities in GaN microdisks |
Autore/i: | S., Shojaei; F., Troiani; A., Asgari; M., Kalafi; Goldoni, Guido |
Autore/i UNIMORE: | |
Rivista: | |
Volume: | 65 |
Pagina iniziale: | 505 |
Pagina finale: | 509 |
Codice identificativo ISI: | WOS:000260770900005 |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-55849103174 |
Citazione: | Coulomb-induced nonlinearities in GaN microdisks / S., Shojaei; F., Troiani; A., Asgari; M., Kalafi; Goldoni, Guido. - In: THE EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL. B, CONDENSED MATTER PHYSICS. - ISSN 1434-6028. - STAMPA. - 65(2008), pp. 505-509. |
Tipologia | Articolo su rivista |
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