An iterative procedure to include phonon disturbance into a Monte Carlo algorithm is presented. Low temperature transport in p-Ge is considered. Calculations show that carrier drift velocity and mean energy increase as a result of the phonon amplification.
Monte Carlo analysis of hot-phonon effects on non-polar semiconductors transport properties / Bordone, Paolo; Jacoboni, Carlo; P., Lugli; L., Reggiani; P., Kocevar. - In: PHYSICA. B + C. - ISSN 0378-4363. - STAMPA. - 134(1985), pp. 169-173.
Data di pubblicazione: | 1985 |
Titolo: | Monte Carlo analysis of hot-phonon effects on non-polar semiconductors transport properties |
Autore/i: | Bordone, Paolo; Jacoboni, Carlo; P., Lugli; L., Reggiani; P., Kocevar |
Autore/i UNIMORE: | |
Rivista: | |
Volume: | 134 |
Pagina iniziale: | 169 |
Pagina finale: | 173 |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0022147926 |
Citazione: | Monte Carlo analysis of hot-phonon effects on non-polar semiconductors transport properties / Bordone, Paolo; Jacoboni, Carlo; P., Lugli; L., Reggiani; P., Kocevar. - In: PHYSICA. B + C. - ISSN 0378-4363. - STAMPA. - 134(1985), pp. 169-173. |
Tipologia | Articolo su rivista |
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