EnglishAn iterative procedure to include phonon disturbance into a Monte Carlo algorithm is presented. Low temperature transport in p-Ge is considered. Calculations show that carrier drift velocity and mean energy increase as a result of the phonon amplification.
Monte Carlo analysis of hot-phonon effects on non-polar semiconductors transport properties / Bordone, Paolo; Jacoboni, Carlo; P., Lugli; L., Reggiani; P., Kocevar. - In: PHYSICA. B + C. - ISSN 0378-4363. - STAMPA. - 134(1985), pp. 169-173.
| Data di pubblicazione: | 1985 |
| Titolo: | Monte Carlo analysis of hot-phonon effects on non-polar semiconductors transport properties |
| Autore/i: | Bordone, Paolo; Jacoboni, Carlo; P., Lugli; L., Reggiani; P., Kocevar |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Rivista: | |
| Volume: | 134 |
| Pagina iniziale: | 169 |
| Pagina finale: | 173 |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0022147926 |
| Citazione: | Monte Carlo analysis of hot-phonon effects on non-polar semiconductors transport properties / Bordone, Paolo; Jacoboni, Carlo; P., Lugli; L., Reggiani; P., Kocevar. - In: PHYSICA. B + C. - ISSN 0378-4363. - STAMPA. - 134(1985), pp. 169-173. |
| Tipologia | Articolo su rivista |
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