Les transistors bipolaires à hètèrojonction (TBHs) sur substrat InP sont des composants trés prometteurs pour la fabrication des circuits rapides à bas niveau de puissance dissipée. Ils trouvent des appliactions très attractives dans le domaine de l'optoélectronique integrée monolithique. Les résultats présentés dans ce travail démontrent que des InP/InGaAs opto-TBH de type guide d'onde, peuvent etre fabriqués avec un comportement preque idéal et un niveau du bruit aux basse fréquence très rèduit.
Propriétés electriques des transistors bipolaires à hétérojonction sur InP pour des applications optoélectroniques monolithiques / Borgarino, Mattia; R., Plana; M., Fendler; J. P., Vilcot; F., Mollot; J., Barette; D., Decoster; J., Graffeuil. - STAMPA. - Not available:(1999), pp. Not available-Not available. (Intervento presentato al convegno 11ème Journées Nationales Microondes tenutosi a Archachon (France) nel 5-7 Mai 1999).
Propriétés electriques des transistors bipolaires à hétérojonction sur InP pour des applications optoélectroniques monolithiques
BORGARINO, Mattia;
1999
Abstract
Les transistors bipolaires à hètèrojonction (TBHs) sur substrat InP sont des composants trés prometteurs pour la fabrication des circuits rapides à bas niveau de puissance dissipée. Ils trouvent des appliactions très attractives dans le domaine de l'optoélectronique integrée monolithique. Les résultats présentés dans ce travail démontrent que des InP/InGaAs opto-TBH de type guide d'onde, peuvent etre fabriqués avec un comportement preque idéal et un niveau du bruit aux basse fréquence très rèduit.
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