EnglishThe present paper reports on a X-band PLO designed in a 0.35um SiGe BiCMOS low-cost technology. All blocks of the PLL are integrated in the same chip. The output power is about -7 dBm and the in-band and out-band phase noise resulted to be –75dBc/Hz at an offset frequency of 10kHz and –95dBc/Hz at an offset frequency of 500kHz, respectively. The circuit area is 1350x1100 μm2 and the drained current is 116mA.
| Data di pubblicazione: | 2007 |
| Titolo: | 0.35um SiGe BiCMOS X-Band PLO |
| Autori: | M. Pifferi; F. Ducati; A. Mazzanti; M. Borgarino |
| Autori: | |
| Data del convegno: | 3-4 ottobre 2007 |
| Nome del convegno: | Sophia Antipolis Microelectronics Forum |
| Luogo del convegno: | Sophia Antipolis, Francia |
| Titolo del libro: | SAME Forum |
| Volume: | 1 |
| Pagina iniziale: | 1 |
| Pagina finale: | 4 |
| Appare nelle tipologie: | Relazione in Atti di Convegno |
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti presenti in Iris Unimore sono rilasciati con licenza Creative Commons Attribuzione - Non commerciale - Non opere derivate 3.0 Italia, salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris
Copyright © 2018