EnglishThe present paper reports on a X-band PLO designed in a 0.35um SiGe BiCMOS low-cost technology. All blocks of the PLL are integrated in the same chip. The output power is about -7 dBm and the in-band and out-band phase noise resulted to be –75dBc/Hz at an offset frequency of 10kHz and –95dBc/Hz at an offset frequency of 500kHz, respectively. The circuit area is 1350x1100 μm2 and the drained current is 116mA.
0.35um SiGe BiCMOS X-Band PLO / Pifferi, Marco; Ducati, Fabio; Mazzanti, Andrea; Borgarino, Mattia. - ELETTRONICO. - 1(2007), pp. 1-4. ((Intervento presentato al convegno Sophia Antipolis Microelectronics Forum tenutosi a Sophia Antipolis, Francia nel 3-4 ottobre 2007.
| Data di pubblicazione: | 2007 |
| Titolo: | 0.35um SiGe BiCMOS X-Band PLO |
| Autore/i: | Pifferi, Marco; Ducati, Fabio; Mazzanti, Andrea; Borgarino, Mattia |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Nome del convegno: | Sophia Antipolis Microelectronics Forum |
| Luogo del convegno: | Sophia Antipolis, Francia |
| Data del convegno: | 3-4 ottobre 2007 |
| Volume: | 1 |
| Pagina iniziale: | 1 |
| Pagina finale: | 4 |
| Citazione: | 0.35um SiGe BiCMOS X-Band PLO / Pifferi, Marco; Ducati, Fabio; Mazzanti, Andrea; Borgarino, Mattia. - ELETTRONICO. - 1(2007), pp. 1-4. ((Intervento presentato al convegno Sophia Antipolis Microelectronics Forum tenutosi a Sophia Antipolis, Francia nel 3-4 ottobre 2007. |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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