The role of using p-doped cap layers with the aim of reducing GaN-HEMTs current collapse is presented and discussed.

p-Gan cap layer for dispersion control in AlGaN/GaN HEMTs / Robert, Coffie; Stacia, Keller; Lee, Mccarthy; Chini, Alessandro; Dario, Buttari; Sten, Heikman; Likun, Shen; Umesh K., Mishra. - (2002). ((Intervento presentato al convegno Solid State Technology Review (SSTR'02) tenutosi a University of California, Santa Barbara (CA), USA nel 18-20 November 2002.

p-Gan cap layer for dispersion control in AlGaN/GaN HEMTs

CHINI, Alessandro;
2002-01-01

Abstract

The role of using p-doped cap layers with the aim of reducing GaN-HEMTs current collapse is presented and discussed.
Solid State Technology Review (SSTR'02)
University of California, Santa Barbara (CA), USA
18-20 November 2002
Robert, Coffie; Stacia, Keller; Lee, Mccarthy; Chini, Alessandro; Dario, Buttari; Sten, Heikman; Likun, Shen; Umesh K., Mishra
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