The role of using p-doped cap layers with the aim of reducing GaN-HEMTs current collapse is presented and discussed.
p-Gan cap layer for dispersion control in AlGaN/GaN HEMTs / Robert, C., Stacia, K., Lee, M., Chini, A., Dario, B., Sten, H., Likun, S., Umesh K., M.. - (2002). (Solid State Technology Review (SSTR'02) University of California, Santa Barbara (CA), USA 18-20 November 2002).
p-Gan cap layer for dispersion control in AlGaN/GaN HEMTs
CHINI, Alessandro;
2002
Abstract
The role of using p-doped cap layers with the aim of reducing GaN-HEMTs current collapse is presented and discussed.
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