EnglishThe role of using p-doped cap layers with the aim of reducing GaN-HEMTs current collapse is presented and discussed.
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http://hdl.handle.net/11380/467275| Titolo: | p-Gan cap layer for dispersion control in AlGaN/GaN HEMTs |
| Autori: | Robert Coffie; Stacia Keller; Lee McCarthy; Alessandro Chini; Dario Buttari; Sten Heikman; Likun Shen; Umesh K. Mishra |
| Autori interni: | CHINI, Alessandro |
| Data di pubblicazione: | 2002 |
| Nome del convegno: | Solid State Technology Review (SSTR'02) |
| Data del convegno: | 18-20 November 2002 |
| Luogo del convegno: | University of California, Santa Barbara (CA), USA |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11380/467275 |
| Appare nelle tipologie: | Poster |
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