EnglishThe role of using p-doped cap layers with the aim of reducing GaN-HEMTs current collapse is presented and discussed.
p-Gan cap layer for dispersion control in AlGaN/GaN HEMTs / Robert, Coffie; Stacia, Keller; Lee, Mccarthy; Chini, Alessandro; Dario, Buttari; Sten, Heikman; Likun, Shen; Umesh K., Mishra. - (2002). ((Intervento presentato al convegno Solid State Technology Review (SSTR'02) tenutosi a University of California, Santa Barbara (CA), USA nel 18-20 November 2002.
| Data di pubblicazione: | 2002 |
| Titolo: | p-Gan cap layer for dispersion control in AlGaN/GaN HEMTs |
| Autore/i: | Robert, Coffie; Stacia, Keller; Lee, Mccarthy; Chini, Alessandro; Dario, Buttari; Sten, Heikman; Likun, Shen; Umesh K., Mishra |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Nome del convegno: | Solid State Technology Review (SSTR'02) |
| Data del convegno: | 18-20 November 2002 |
| Luogo del convegno: | University of California, Santa Barbara (CA), USA |
| Tipologia | Poster |
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti presenti in Iris Unimore sono rilasciati con licenza Creative Commons Attribuzione - Non commerciale - Non opere derivate 3.0 Italia, salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris
Copyright © 2020