EnglishThe role of using p-doped cap layers with the aim of reducing GaN-HEMTs current collapse is presented and discussed.
p-Gan cap layer for dispersion control in AlGaN/GaN HEMTs / Robert, Coffie; Stacia, Keller; Lee, McCarthy; Chini, Alessandro; Dario, Buttari; Sten, Heikman; Likun, Shen; Umesh K., Mishra. - (2002). ((Intervento presentato al convegno Solid State Technology Review (SSTR'02) tenutosi a University of California, Santa Barbara (CA), USA nel 18-20 November 2002.
| Data di pubblicazione: | 2002 | |
| Titolo: | p-Gan cap layer for dispersion control in AlGaN/GaN HEMTs | |
| Autore/i: | Robert, Coffie; Stacia, Keller; Lee, McCarthy; Chini, Alessandro; Dario, Buttari; Sten, Heikman; Likun, Shen; Umesh K., Mishra | |
| Autore/i UNIMORE: | ||
| Nome del convegno: | Solid State Technology Review (SSTR'02) | |
| Data del convegno: | 18-20 November 2002 | |
| Luogo del convegno: | University of California, Santa Barbara (CA), USA | |
| Tipologia | Poster |
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