Radiation effects on floating-gate memory cells

Cellere, G.; Pellati, P.; Olivo, P.; Chimenton, A.; Wyss, J.; Larcher, Luca; Paccagnella, A.

doi:10.1109/23.983199

We have addressed the problem of threshold voltage (VTH) variation in Flash memory cells after heavy ion irradiation by using specially designed array structures and test instruments. After irradiation, low VTH tails appear in VTH distributions, growing with ion LET and fluence. In particular, high LET ions, such as Iodine used in this work, can produce a bit flip. Since the existing models cannot account for large charge losses from the Floating Gate, we propose a new mechanism, based on the excess of positive charge produced by a single ion, temporarily lowering the tunnel oxide barrier (Positive charge Assisted Leakage Current, PALC) and enhancing the tunneling current. This mechanism fully explains experimental data we present

Radiation effects on floating-gate memory cells / G., Cellere; P., Pellati; P., Olivo; A., Chimenton; J., Wyss; Larcher, Luca; A., Paccagnella. - In: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE. - ISSN 0018-9499. - STAMPA. - 48:6(2001), pp. 2222-2228. ((Intervento presentato al convegno 38th Annual Nuclear and Space Radiation Effects Conference (NSREC) tenutosi a VANCOUVER, CANADA nel JUL 16-20, 2001 [10.1109/23.983199].

Data di pubblicazione:	2001
Titolo:	Radiation effects on floating-gate memory cells
Autore/i:	G., Cellere; P., Pellati; P., Olivo; A., Chimenton; J., Wyss; Larcher, Luca; A., Paccagnella
Autore/i UNIMORE:	G. CELLERE P. PELLATI P. OLIVO A. CHIMENTON J. WYSS LARCHER, Luca A. PACCAGNELLA mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/23.983199
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-0035722077
Codice identificativo ISI:	WOS:000173860300074
Nome del convegno:	38th Annual Nuclear and Space Radiation Effects Conference (NSREC)
Luogo del convegno:	VANCOUVER, CANADA
Data del convegno:	JUL 16-20, 2001
Rivista:	IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE
Volume:	48
Pagina iniziale:	2222
Pagina finale:	2228
Citazione:	Radiation effects on floating-gate memory cells / G., Cellere; P., Pellati; P., Olivo; A., Chimenton; J., Wyss; Larcher, Luca; A., Paccagnella. - In: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE. - ISSN 0018-9499. - STAMPA. - 48:6(2001), pp. 2222-2228. ((Intervento presentato al convegno 38th Annual Nuclear and Space Radiation Effects Conference (NSREC) tenutosi a VANCOUVER, CANADA nel JUL 16-20, 2001 [10.1109/23.983199].
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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