Temperature dependence of stress induced leakage current in ultra-thin oxides

Ceschia, M.; Paccagnella, A.; Cester, A.; Larcher, Luca; Ghidini, G.

In ultra-thin oxides Stress Induced Leakage Current (SILC) is measured at low oxide fields after electrical stresses [1-5]. Different current components contribute to SILC, including transient and non-reproducible ones. This work is focused on the DC component [6], which is currently attributed to an electron trap assisted tunnelling trough neutral traps, which are created by electrical stresses [1-5]. Most of the works on SILC have considered the room (or high) temperature characteristics, demonstrating the onset of recovery processes as the temperature increases. In this work we have performed new experiments at temperatures < 0 °C, in order to study the SILC dependence on measurement and stress temperature.

Temperature dependence of stress induced leakage current in ultra-thin oxides / M., Ceschia; A., Paccagnella; A., Cester; Larcher, Luca; G., Ghidini. - STAMPA. - (1999), pp. 1-2. ((Intervento presentato al convegno IEEE 29th Semiconductor Interface Specialist Conference (SISC) tenutosi a Charlestone (SC, USA) nel 2-4 December 1999.

Data di pubblicazione:	1999
Titolo:	Temperature dependence of stress induced leakage current in ultra-thin oxides
Autore/i:	M., Ceschia; A., Paccagnella; A., Cester; Larcher, Luca; G., Ghidini
Autore/i UNIMORE:	M. CESCHIA A. PACCAGNELLA A. CESTER LARCHER, Luca G. GHIDINI mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Nome del convegno:	IEEE 29th Semiconductor Interface Specialist Conference (SISC)
Luogo del convegno:	Charlestone (SC, USA)
Data del convegno:	2-4 December 1999
Pagina iniziale:	1
Pagina finale:	2
Citazione:	Temperature dependence of stress induced leakage current in ultra-thin oxides / M., Ceschia; A., Paccagnella; A., Cester; Larcher, Luca; G., Ghidini. - STAMPA. - (1999), pp. 1-2. ((Intervento presentato al convegno IEEE 29th Semiconductor Interface Specialist Conference (SISC) tenutosi a Charlestone (SC, USA) nel 2-4 December 1999.
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

File in questo prodotto:

Non ci sono file associati a questo prodotto.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
http://hdl.handle.net/11380/465605

Citazioni

I documenti presenti in Iris Unimore sono rilasciati con licenza Creative Commons Attribuzione - Non commerciale - Non opere derivate 3.0 Italia, salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris