EnglishWe propose a new double-box model of the oxide conduction band of MOS devices, aiming to quantitatively predict the gate current across ultra-thin oxides. Simulations nicely fit the experimental quantum oscillations of the gate current in the Fowler-Nordheim tunnelling regime. The oscillation period of the gate current has been empirically correlated with the oxide thickness. The low-field stress induced leakage current can be fitted by our model as well, by inserting oxide traps mediating an inelastic trap-assisted tunnelling
| Data di pubblicazione: | 1998 |
| Titolo: | New double-box model for SILC and tunnel current in ultra-thin MOS devices |
| Autori: | L. LARCHER; A. PACCAGNELLA; A. SCARPA; G. GHIDINI |
| Autori: | |
| Data del convegno: | 6-9 December 1998 |
| Nome del convegno: | Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International |
| Luogo del convegno: | San Francisco (USA) |
| Titolo del libro: | IEEE Int Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International |
| Pagina iniziale: | 901 |
| Pagina finale: | 904 |
| Appare nelle tipologie: | Relazione in Atti di Convegno |
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