EnglishA new simple model for electron tunnel injection into oxides has been proposed, alternative to the conventional Fowler-Nordheim expression. The latter fails to predict oscillations in the current-voltage curves in ultra-thin oxides, due to the limits of the WKB approximation. Our model nicely fits the experimental I-V results and can be used to investigate ultra-thin film characteristics. Finnaly, we propose an empirical law correlating oxide thickness to I-V oscillation period.
A new model for tunnelling conduction in ultra-thin dielectrics / Larcher, Luca; A., Paccagnella; A., Scarpa; G., Ghidini. - STAMPA. - (1998), pp. 316-319. ((Intervento presentato al convegno Solid-State Device Research Conference, 1998. Proceeding of the 28th European tenutosi a Bordeaux (France) nel 8-10 September 1998.
| Data di pubblicazione: | 1998 |
| Titolo: | A new model for tunnelling conduction in ultra-thin dielectrics |
| Autore/i: | Larcher, Luca; A., Paccagnella; A., Scarpa; G., Ghidini |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Nome del convegno: | Solid-State Device Research Conference, 1998. Proceeding of the 28th European |
| Luogo del convegno: | Bordeaux (France) |
| Data del convegno: | 8-10 September 1998 |
| Pagina iniziale: | 316 |
| Pagina finale: | 319 |
| Citazione: | A new model for tunnelling conduction in ultra-thin dielectrics / Larcher, Luca; A., Paccagnella; A., Scarpa; G., Ghidini. - STAMPA. - (1998), pp. 316-319. ((Intervento presentato al convegno Solid-State Device Research Conference, 1998. Proceeding of the 28th European tenutosi a Bordeaux (France) nel 8-10 September 1998. |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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