In this paper, we report on the DC and gate-lag pulsed (200ns) I-V characteristics of GaN-based HEMTs with and without SiN passivation between 77 K and 300 K.
Temperature dependence of the current-voltage characteristics of AlGaN/GaN HEMT / Shen, L.; Chini, Alessandro; Coffie, R.; Buttari, D.; Heikman, S.; Keller, S.; Mishra, U. K.. - ELETTRONICO. - 2003-:(2003), pp. 63-64. (Intervento presentato al convegno 61st Device Research Conference, DRC 2003 tenutosi a University of Utah, Salt Lake City, Utah (USA) nel 23-25 June 2003) [10.1109/DRC.2003.1226873].
Temperature dependence of the current-voltage characteristics of AlGaN/GaN HEMT
CHINI, Alessandro;
2003
Abstract
In this paper, we report on the DC and gate-lag pulsed (200ns) I-V characteristics of GaN-based HEMTs with and without SiN passivation between 77 K and 300 K.
Pubblicazioni consigliate
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris
