A test device to implement room temperature visible light emitting diodes (LED) based on porous silicon is reported. The device is obtained through a post processing electrochemical anodization of p-type Si wafers where n+-type stripes have been defined by lithography and doped by ion implantation

A Test Chip for the Development of Porous Silicon Light Emitting Diodes / R., Guardini; P., Bellutti; L., Pavesi; G., Soncini; Bisi, Olmes. - In: VUOTO. - ISSN 0391-3155. - STAMPA. - 9:(1996), pp. 227-229. ((Intervento presentato al convegno 1996 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures tenutosi a Povo, Trento nel Marzo 1996.

A Test Chip for the Development of Porous Silicon Light Emitting Diodes

BISI, Olmes
1996

Abstract

A test device to implement room temperature visible light emitting diodes (LED) based on porous silicon is reported. The device is obtained through a post processing electrochemical anodization of p-type Si wafers where n+-type stripes have been defined by lithography and doped by ion implantation
1996 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures
Povo, Trento
Marzo 1996
9
227
229
R., Guardini; P., Bellutti; L., Pavesi; G., Soncini; Bisi, Olmes
A Test Chip for the Development of Porous Silicon Light Emitting Diodes / R., Guardini; P., Bellutti; L., Pavesi; G., Soncini; Bisi, Olmes. - In: VUOTO. - ISSN 0391-3155. - STAMPA. - 9:(1996), pp. 227-229. ((Intervento presentato al convegno 1996 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures tenutosi a Povo, Trento nel Marzo 1996.
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