Physical Mechanisms for ion-current levelling off in the KcsA channel through combined Monte Carlo/Molecular Dynamics simulations

Piccinini, E.; Affinito, A.; Brunetti, Rossella; Jacoboni, Carlo; Rudan, And M.

Conduction and noise properties of potassium ions in the KcsA membrane channel are analysed by means of a combined Molecular Dynamics-Monte Carlo numerical approach. The high-voltage part of the experimental I(V) charac-teristics shows a tendency to level off which is reproduced by computational re-sults using a conduction model quite sensitive to the particular set of transition probabilities among the relevant ion occupancy configurations. Noise power spec-tra confirm the existence of correlation between consecutive ion exits from the channel.

Physical Mechanisms for ion-current levelling off in the KcsA channel through combined Monte Carlo/Molecular Dynamics simulations / E., Piccinini; A., Affinito; Brunetti, Rossella; Jacoboni, Carlo; And M., Rudan. - STAMPA. - 110(2006), pp. 217-220. ((Intervento presentato al convegno XIV Int. Conf. on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors tenutosi a Chicago nel 25-29 july.

Data di pubblicazione:	2006
Titolo:	Physical Mechanisms for ion-current levelling off in the KcsA channel through combined Monte Carlo/Molecular Dynamics simulations
Autore/i:	E., Piccinini; A., Affinito; Brunetti, Rossella; Jacoboni, Carlo; And M., Rudan
Autore/i UNIMORE:	E. PICCININI A. AFFINITO BRUNETTI, Rossella JACOBONI, Carlo AND M. RUDAN mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Codice identificativo ISI:	WOS:000242486900048
Nome del convegno:	XIV Int. Conf. on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors
Luogo del convegno:	Chicago
Data del convegno:	25-29 july
Volume:	110
Pagina iniziale:	217
Pagina finale:	220
Citazione:	Physical Mechanisms for ion-current levelling off in the KcsA channel through combined Monte Carlo/Molecular Dynamics simulations / E., Piccinini; A., Affinito; Brunetti, Rossella; Jacoboni, Carlo; And M., Rudan. - STAMPA. - 110(2006), pp. 217-220. ((Intervento presentato al convegno XIV Int. Conf. on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors tenutosi a Chicago nel 25-29 july.
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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http://hdl.handle.net/11380/464176

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