EnglishThe problem of Fermi-level pinning at semiconductor-metal contacts is readdressed starting from first-principles calculations for Al/GaAs. We give quantitative evidence that the Schottky barrier height is very little affected by any structural distortions on the metal side-including elongations of the metal-semiconductor bond (i.e., interface strain)-whereas it strongly depends on the interface structure on the semiconductor side. A rationale for these findings is given in terms of the interface dipole generated by the ionic effective charges.
Effects of interface morphology on Schottky-barrier heights: A case study on Al/GaAs(001) / Ruini, Alice; Resta, R.; AND BARONI, S.. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER. - ISSN 0163-1829. - ELETTRONICO. - 56(1997), pp. 14921-14924.
| Data di pubblicazione: | 1997 |
| Titolo: | Effects of interface morphology on Schottky-barrier heights: A case study on Al/GaAs(001) |
| Autore/i: | Ruini, Alice; Resta, R.; AND BARONI, S. |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.56.14921 |
| Rivista: | |
| Volume: | 56 |
| Pagina iniziale: | 14921 |
| Pagina finale: | 14924 |
| Codice identificativo ISI: | WOS:000071043700014 |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0000527647 |
| Citazione: | Effects of interface morphology on Schottky-barrier heights: A case study on Al/GaAs(001) / Ruini, Alice; Resta, R.; AND BARONI, S.. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER. - ISSN 0163-1829. - ELETTRONICO. - 56(1997), pp. 14921-14924. |
| Tipologia | Articolo su rivista |
File in questo prodotto:
| File | Descrizione | Tipologia | |
|---|---|---|---|
| ruin+97prb.pdf | Versione dell'editore (versione pubblicata) | Open Access Visualizza/Apri |
http://hdl.handle.net/11380/457949
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