EnglishA doped semiconductor double-quantum-dot molecule is proposed as a qubit realization. The quantum information is encoded in the electron spin, thus benefiting from the long relevant decoherence times; the enhanced flexibility of the molecular structure allows one to map the spin degrees of freedom onto the orbital ones and vice versa and opens the possibility for high-finesse (conditional and unconditional) quantum gates by means of stimulated Raman adiabatic passages.
High-Finesse Optical Quantum Gates for Electron Spins in Artificial Molecules / TROIANI, Filippo; U., HOHENESTER; MOLINARI, Elisa. - In: PHYSICAL REVIEW LETTERS. - ISSN 0031-9007. - STAMPA. - 90(2003), pp. 206802-206805.
| Data di pubblicazione: | 2003 | |
| Titolo: | High-Finesse Optical Quantum Gates for Electron Spins in Artificial Molecules | |
| Autore/i: | TROIANI, Filippo; U., HOHENESTER; MOLINARI, Elisa | |
| Autore/i UNIMORE: | ||
| Rivista: | ||
| Volume: | 90 | |
| Pagina iniziale: | 206802 | |
| Pagina finale: | 206805 | |
| Codice identificativo ISI: | WOS:000183115200038 | |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0038790168 | |
| Codice identificativo Pubmed: | 12785913 | |
| Citazione: | High-Finesse Optical Quantum Gates for Electron Spins in Artificial Molecules / TROIANI, Filippo; U., HOHENESTER; MOLINARI, Elisa. - In: PHYSICAL REVIEW LETTERS. - ISSN 0031-9007. - STAMPA. - 90(2003), pp. 206802-206805. | |
| Tipologia | Articolo su rivista |
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