High-Finesse Optical Quantum Gates for Electron Spins in Artificial Molecules

Troiani, Filippo; Hohenester, U.; Molinari, Elisa

A doped semiconductor double-quantum-dot molecule is proposed as a qubit realization. The quantum information is encoded in the electron spin, thus benefiting from the long relevant decoherence times; the enhanced flexibility of the molecular structure allows one to map the spin degrees of freedom onto the orbital ones and vice versa and opens the possibility for high-finesse (conditional and unconditional) quantum gates by means of stimulated Raman adiabatic passages.

High-Finesse Optical Quantum Gates for Electron Spins in Artificial Molecules / TROIANI, Filippo; U., HOHENESTER; MOLINARI, Elisa. - In: PHYSICAL REVIEW LETTERS. - ISSN 0031-9007. - STAMPA. - 90(2003), pp. 206802-206805.

Data di pubblicazione:	2003
Titolo:	High-Finesse Optical Quantum Gates for Electron Spins in Artificial Molecules
Autore/i:	TROIANI, Filippo; U., HOHENESTER; MOLINARI, Elisa
Autore/i UNIMORE:	TROIANI, Filippo U. HOHENESTER MOLINARI, Elisa mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Rivista:	PHYSICAL REVIEW LETTERS
Volume:	90
Pagina iniziale:	206802
Pagina finale:	206805
Codice identificativo ISI:	WOS:000183115200038
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-0038790168
Codice identificativo Pubmed:	12785913
Citazione:	High-Finesse Optical Quantum Gates for Electron Spins in Artificial Molecules / TROIANI, Filippo; U., HOHENESTER; MOLINARI, Elisa. - In: PHYSICAL REVIEW LETTERS. - ISSN 0031-9007. - STAMPA. - 90(2003), pp. 206802-206805.
Tipologia	Articolo su rivista

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http://hdl.handle.net/11380/454991

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