EnglishThe effect of electron irradiation on the surface chemical composition and the photoluminescence (PL) properties of p-Si samples is investigated. Under the irradiation conditions considered in this study, no significant change in the surface chemistry takes place while the PL intensity is found to increase.
Electron Bombardment Effects on Light Emitting Porous Silicon / L., Calliari; M., Anderle; M., Ceschini; L., Pavesi; G., Mariotto; Bisi, Olmes. - In: JOURNAL OF LUMINESCENCE. - ISSN 0022-2313. - STAMPA. - 57(1993), pp. 83-87.
| Data di pubblicazione: | 1993 |
| Titolo: | Electron Bombardment Effects on Light Emitting Porous Silicon |
| Autore/i: | L., Calliari; M., Anderle; M., Ceschini; L., Pavesi; G., Mariotto; Bisi, Olmes |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Rivista: | |
| Volume: | 57 |
| Pagina iniziale: | 83 |
| Pagina finale: | 87 |
| Codice identificativo ISI: | WOS:A1993MQ10800018 |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0027698858 |
| Citazione: | Electron Bombardment Effects on Light Emitting Porous Silicon / L., Calliari; M., Anderle; M., Ceschini; L., Pavesi; G., Mariotto; Bisi, Olmes. - In: JOURNAL OF LUMINESCENCE. - ISSN 0022-2313. - STAMPA. - 57(1993), pp. 83-87. |
| Tipologia | Articolo su rivista |
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http://hdl.handle.net/11380/449373
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