EnglishWe present synchrotron radiation photoemission studies of bulk CrSi2 and silicide phases grown on Si by thermal processing of the Si-Cr interface. Experiment shows that Si-Cr interface formation at room temperature results in reacted phases that differ from both bulk CrSi2 and in situ—grown Si-rich CrSi2. Extended—Hückel-theory linear combination of atomic orbitals calculations of the density of states of Cr3Si, CrSi, and CrSi2 show that Si—Cr bond formation involves Si p and Cr d states with minimal charge transfer.
Electronic structure of Cr Silicides and Si-Cr interface reactions / A., Franciosi; J. H., Weaver; D. G., O'Neill; F. A., Schmidt; Bisi, Olmes; CALANDRA BUONAURA, Carlo. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER. - ISSN 0163-1829. - STAMPA. - 28(1983), pp. 7000-7008.
| Data di pubblicazione: | 1983 | |
| Titolo: | Electronic structure of Cr Silicides and Si-Cr interface reactions | |
| Autore/i: | A., Franciosi; J. H., Weaver; D. G., O'Neill; F. A., Schmidt; Bisi, Olmes; CALANDRA BUONAURA, Carlo | |
| Autore/i UNIMORE: | ||
| Rivista: | ||
| Volume: | 28 | |
| Pagina iniziale: | 7000 | |
| Pagina finale: | 7008 | |
| Codice identificativo ISI: | WOS:A1983RX28400045 | |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0041146288 | |
| Citazione: | Electronic structure of Cr Silicides and Si-Cr interface reactions / A., Franciosi; J. H., Weaver; D. G., O'Neill; F. A., Schmidt; Bisi, Olmes; CALANDRA BUONAURA, Carlo. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER. - ISSN 0163-1829. - STAMPA. - 28(1983), pp. 7000-7008. | |
| Tipologia | Articolo su rivista |
File in questo prodotto:
Pubblicazioni consigliate
http://hdl.handle.net/11380/449344
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris
Copyright © 2022