Electronic structure of Cr Silicides and Si-Cr interface reactions

Franciosi, A.; Weaver, J. H.; O'Neill, D. G.; Schmidt, F. A.; Bisi, Olmes; Calandra Buonaura, Carlo

We present synchrotron radiation photoemission studies of bulk CrSi2 and silicide phases grown on Si by thermal processing of the Si-Cr interface. Experiment shows that Si-Cr interface formation at room temperature results in reacted phases that differ from both bulk CrSi2 and in situ—grown Si-rich CrSi2. Extended—Hückel-theory linear combination of atomic orbitals calculations of the density of states of Cr3Si, CrSi, and CrSi2 show that Si—Cr bond formation involves Si p and Cr d states with minimal charge transfer.

Electronic structure of Cr Silicides and Si-Cr interface reactions / A., Franciosi; J. H., Weaver; D. G., O'Neill; F. A., Schmidt; Bisi, Olmes; CALANDRA BUONAURA, Carlo. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER. - ISSN 0163-1829. - STAMPA. - 28(1983), pp. 7000-7008.

Data di pubblicazione:	1983
Titolo:	Electronic structure of Cr Silicides and Si-Cr interface reactions
Autore/i:	A., Franciosi; J. H., Weaver; D. G., O'Neill; F. A., Schmidt; Bisi, Olmes; CALANDRA BUONAURA, Carlo
Autore/i UNIMORE:	A. FRANCIOSI J. H. WEAVER D. G. O'NEILL F. A. SCHMIDT BISI, Olmes CALANDRA BUONAURA, Carlo mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Rivista:	PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER
Volume:	28
Pagina iniziale:	7000
Pagina finale:	7008
Codice identificativo ISI:	WOS:A1983RX28400045
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-0041146288
Citazione:	Electronic structure of Cr Silicides and Si-Cr interface reactions / A., Franciosi; J. H., Weaver; D. G., O'Neill; F. A., Schmidt; Bisi, Olmes; CALANDRA BUONAURA, Carlo. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER. - ISSN 0163-1829. - STAMPA. - 28(1983), pp. 7000-7008.
Tipologia	Articolo su rivista

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http://hdl.handle.net/11380/449344

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