We present synchrotron radiation photoemission studies of bulk CrSi2 and silicide phases grown on Si by thermal processing of the Si-Cr interface. Experiment shows that Si-Cr interface formation at room temperature results in reacted phases that differ from both bulk CrSi2 and in situ—grown Si-rich CrSi2. Extended—Hückel-theory linear combination of atomic orbitals calculations of the density of states of Cr3Si, CrSi, and CrSi2 show that Si—Cr bond formation involves Si p and Cr d states with minimal charge transfer.
Electronic structure of Cr Silicides and Si-Cr interface reactions / A., Franciosi; J. H., Weaver; D. G., O'Neill; F. A., Schmidt; Bisi, Olmes; CALANDRA BUONAURA, Carlo. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER. - ISSN 0163-1829. - STAMPA. - 28(1983), pp. 7000-7008.
Data di pubblicazione: | 1983 |
Titolo: | Electronic structure of Cr Silicides and Si-Cr interface reactions |
Autore/i: | A., Franciosi; J. H., Weaver; D. G., O'Neill; F. A., Schmidt; Bisi, Olmes; CALANDRA BUONAURA, Carlo |
Autore/i UNIMORE: | |
Rivista: | |
Volume: | 28 |
Pagina iniziale: | 7000 |
Pagina finale: | 7008 |
Codice identificativo ISI: | WOS:A1983RX28400045 |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0041146288 |
Citazione: | Electronic structure of Cr Silicides and Si-Cr interface reactions / A., Franciosi; J. H., Weaver; D. G., O'Neill; F. A., Schmidt; Bisi, Olmes; CALANDRA BUONAURA, Carlo. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER. - ISSN 0163-1829. - STAMPA. - 28(1983), pp. 7000-7008. |
Tipologia | Articolo su rivista |
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