EnglishThe electronic structure of Platinum silicides produced by thin film reaction is studied using ultraviolet photoemission and Auger spectroscopy. Spectra have been taken during the various stages of Si-Pt intermixing, in order to monitor the changes in the valence band, which take place during the reaction. The experimental data are compared with semi-empirical LCAO calculations. The importance of the coupling between Silicon p and Platinum d-states in determining the basic features of the chemical bond is discussed.
Electronic structure of compounds at Platinum -Silicon interface / I., Abbati; L., Braicovich; B., DE MICHELIS; Bisi, Olmes; R., Rovetta. - In: SOLID STATE COMMUNICATIONS. - ISSN 0038-1098. - STAMPA. - 37(1981), pp. 119-122.
| Data di pubblicazione: | 1981 | |
| Titolo: | Electronic structure of compounds at Platinum -Silicon interface | |
| Autore/i: | I., Abbati; L., Braicovich; B., DE MICHELIS; Bisi, Olmes; R., Rovetta | |
| Autore/i UNIMORE: | ||
| Rivista: | ||
| Volume: | 37 | |
| Pagina iniziale: | 119 | |
| Pagina finale: | 122 | |
| Codice identificativo ISI: | WOS:A1981LB43400007 | |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0019483054 | |
| Citazione: | Electronic structure of compounds at Platinum -Silicon interface / I., Abbati; L., Braicovich; B., DE MICHELIS; Bisi, Olmes; R., Rovetta. - In: SOLID STATE COMMUNICATIONS. - ISSN 0038-1098. - STAMPA. - 37(1981), pp. 119-122. | |
| Tipologia | Articolo su rivista |
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http://hdl.handle.net/11380/449334
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