Electronic structure of compounds at Platinum -Silicon interface

Abbati, I.; Braicovich, L.; DE MICHELIS, B.; Bisi, Olmes; Rovetta, R.

The electronic structure of Platinum silicides produced by thin film reaction is studied using ultraviolet photoemission and Auger spectroscopy. Spectra have been taken during the various stages of Si-Pt intermixing, in order to monitor the changes in the valence band, which take place during the reaction. The experimental data are compared with semi-empirical LCAO calculations. The importance of the coupling between Silicon p and Platinum d-states in determining the basic features of the chemical bond is discussed.

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Anno di pubblicazione:	1981
Titolo:	Electronic structure of compounds at Platinum -Silicon interface
Autori:	I.ABBATI; L.BRAICOVICH; B.DE MICHELIS; O. BISI; R.ROVETTA
Autori:	I. ABBATI L. BRAICOVICH B. DE MICHELIS BISI, Olmes R. ROVETTA mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Rivista:	SOLID STATE COMMUNICATIONS
Volume:	37
Pagina iniziale:	119
Pagina finale:	122
Appare nelle tipologie:	Articolo su rivista

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http://hdl.handle.net/11380/449334

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