Electronic structure of compounds at Platinum -Silicon interface

Abbati, I.; Braicovich, L.; De Michelis, B.; Bisi, Olmes; Rovetta, R.

The electronic structure of Platinum silicides produced by thin film reaction is studied using ultraviolet photoemission and Auger spectroscopy. Spectra have been taken during the various stages of Si-Pt intermixing, in order to monitor the changes in the valence band, which take place during the reaction. The experimental data are compared with semi-empirical LCAO calculations. The importance of the coupling between Silicon p and Platinum d-states in determining the basic features of the chemical bond is discussed.

Data di pubblicazione:	1981
Titolo:	Electronic structure of compounds at Platinum -Silicon interface
Autore/i:	I., Abbati; L., Braicovich; B., DE MICHELIS; Bisi, Olmes; R., Rovetta
Autore/i UNIMORE:	I. ABBATI L. BRAICOVICH B. DE MICHELIS BISI, Olmes R. ROVETTA mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Rivista:	SOLID STATE COMMUNICATIONS
Volume:	37
Pagina iniziale:	119
Pagina finale:	122
Codice identificativo ISI:	WOS:A1981LB43400007
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-0019483054
Citazione:	Electronic structure of compounds at Platinum -Silicon interface / I., Abbati; L., Braicovich; B., DE MICHELIS; Bisi, Olmes; R., Rovetta. - In: SOLID STATE COMMUNICATIONS. - ISSN 0038-1098. - STAMPA. - 37(1981), pp. 119-122.
Tipologia	Articolo su rivista

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http://hdl.handle.net/11380/449334

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