The electronic structure of Platinum silicides produced by thin film reaction is studied using ultraviolet photoemission and Auger spectroscopy. Spectra have been taken during the various stages of Si-Pt intermixing, in order to monitor the changes in the valence band, which take place during the reaction. The experimental data are compared with semi-empirical LCAO calculations. The importance of the coupling between Silicon p and Platinum d-states in determining the basic features of the chemical bond is discussed.
Electronic structure of compounds at Platinum -Silicon interface / I., Abbati; L., Braicovich; B., DE MICHELIS; Bisi, Olmes; R., Rovetta. - In: SOLID STATE COMMUNICATIONS. - ISSN 0038-1098. - STAMPA. - 37(1981), pp. 119-122.
Data di pubblicazione: | 1981 |
Titolo: | Electronic structure of compounds at Platinum -Silicon interface |
Autore/i: | I., Abbati; L., Braicovich; B., DE MICHELIS; Bisi, Olmes; R., Rovetta |
Autore/i UNIMORE: | |
Rivista: | |
Volume: | 37 |
Pagina iniziale: | 119 |
Pagina finale: | 122 |
Codice identificativo ISI: | WOS:A1981LB43400007 |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0019483054 |
Citazione: | Electronic structure of compounds at Platinum -Silicon interface / I., Abbati; L., Braicovich; B., DE MICHELIS; Bisi, Olmes; R., Rovetta. - In: SOLID STATE COMMUNICATIONS. - ISSN 0038-1098. - STAMPA. - 37(1981), pp. 119-122. |
Tipologia | Articolo su rivista |
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