EnglishWe present the results of a joint experimental and theoretical investigation of the electronic properties of Silicon – transition metal interfaces. We carried out ultraviolet photoemission experiments on Si-Pt, Si-Ni and Si-Pd interfaces at different coverages. Our results indicate that these interfaces are reactive. Comparison with semi-empirical LCAO calculations allows to understand the main features of the observed spectra.
| Data di pubblicazione: | 1980 |
| Titolo: | The electronic properties of the Si (111) - transition metals interfaces |
| Autore/i: | I., Abbati; L., Braicovich; B., DE MICHELIS; Bisi, Olmes; CALANDRA BUONAURA, Carlo; DEL PENNINO, Umberto; Valeri, Sergio |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Rivista: | |
| Volume: | 49 SUPPL. A |
| Pagina iniziale: | 1071 |
| Pagina finale: | 1074 |
| Citazione: | The electronic properties of the Si (111) - transition metals interfaces / I., Abbati; L., Braicovich; B., DE MICHELIS; Bisi, Olmes; CALANDRA BUONAURA, Carlo; DEL PENNINO, Umberto; Valeri, Sergio. - In: JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN. - ISSN 0031-9015. - STAMPA. - 49 SUPPL. A(1980), pp. 1071-1074. |
| Tipologia | Articolo su rivista |
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