EnglishWe propose a novel numerical procedure to calculate the hot-carrier thermal conductivity in bulk semiconductors. The method is based on combining Monte Carlo and hydrodynamic simulations of carrier transport in submicron inhomogeneous structures. Application to a Si structure indicates a decrease over one order of magnitude of the thermal conductivity of electrons at electric fields over , in close agreement with recent results obtained within the correlation-function formalism.
Calculation of Hot-Carrier Thermal Conductivity from the Simulation of Submicron Semiconductor Structures / Golinelli, P.; Brunetti, Rossella; Varani, L.; Reggiani, L.; Starikov, E.; Shiktorov, P.; Gruzinskis, V.; Gonzales, T.; Martin, M. J.; Pardo, D.. - In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. - ISSN 0268-1242. - STAMPA. - 12(1997), pp. 1511-1513.
| Data di pubblicazione: | 1997 |
| Titolo: | Calculation of Hot-Carrier Thermal Conductivity from the Simulation of Submicron Semiconductor Structures |
| Autore/i: | Golinelli, P.; Brunetti, Rossella; Varani, L.; Reggiani, L.; Starikov, E.; Shiktorov, P.; Gruzinskis, V.; Gonzales, T.; Martin, M. J.; Pardo, D. |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Rivista: | |
| Volume: | 12 |
| Pagina iniziale: | 1511 |
| Pagina finale: | 1513 |
| Citazione: | Calculation of Hot-Carrier Thermal Conductivity from the Simulation of Submicron Semiconductor Structures / Golinelli, P.; Brunetti, Rossella; Varani, L.; Reggiani, L.; Starikov, E.; Shiktorov, P.; Gruzinskis, V.; Gonzales, T.; Martin, M. J.; Pardo, D.. - In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. - ISSN 0268-1242. - STAMPA. - 12(1997), pp. 1511-1513. |
| Tipologia | Articolo su rivista |
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