EnglishThe present paper focuses on solutions of the experimental difficulties rising up when a full low frequency noise characterization of bipolar transistors exhibiting high noise levels and low input dynamic input impedances is carried out using a direct characterization technique. First, a typical direct characterization experimental set-up is introduced pointing out the difficulties to be faced when a high noise, low input impedance transistor is addressed. Then, an improved version of the experimental set-up is proposed and successfully applied to AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors.
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| Anno di pubblicazione: | 2005 |
| Titolo: | Full direct low frequency noise characterization of GaAs heterojunction bipolar transistors |
| Autori: | M. Borgarino |
| Autori: | |
| Rivista: | |
| Volume: | 49 |
| Pagina iniziale: | 1361 |
| Pagina finale: | 1369 |
| Appare nelle tipologie: | Articolo su rivista |
File in questo prodotto:
http://hdl.handle.net/11380/305803
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