Modeling AlGaN/GaN HEMTs degradation due to hot carrier injection in the passivation layer

Neri, A.; Sayadi, L.; Minetto, A.; Prechtl, G.; Selmi, L.; Häberlen, O.; Palestri, P.

Modeling AlGaN/GaN HEMTs degradation due to hot carrier injection in the passivation layer / Neri, A., Sayadi, L., Minetto, A., Prechtl, G., Selmi, L., Häberlen, O., Palestri, P.. - (2026). (GaN Marathon Firenze (Italy) giugno 2026).

Modeling AlGaN/GaN HEMTs degradation due to hot carrier injection in the passivation layer

A. Neri;L. Sayadi;A. Minetto;G. Prechtl;L. Selmi;O. Häberlen;P. Palestri

2026

Scheda breve

Scheda completa

Scheda completa (DC)

	Anno di pubblicazione
	
				2026
			
	Titolo del Convegno
	
				GaN Marathon
			
	Luogo del Convegno
	
				Firenze (Italy)
			
	Data del Convegno
	
				giugno 2026
			
	Tutti gli autori
	
						Neri, A.; Sayadi, L.; Minetto, A.; Prechtl, G.; Selmi, L.; Häberlen, O.; Palestri, P.
					
	Citazione
	
				Modeling AlGaN/GaN HEMTs degradation due to hot carrier injection in the passivation layer / Neri, A., Sayadi, L., Minetto, A., Prechtl, G., Selmi, L., Häberlen, O., Palestri, P.. - (2026). (GaN Marathon Firenze (Italy) giugno 2026).
			
	Tipologia
	
				Abstract in Atti di Convegno

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