TCAD Mobility Model of III-V Short-Channel Double-Gate FETs Including Ballistic Corrections / Carapezzi, S., Caruso, E., Gnudi, A., Palestri, P., Reggiani, S., Gnani, E.. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 64:12(2017), pp. 4882-4888. [10.1109/TED.2017.2759420]
TCAD Mobility Model of III-V Short-Channel Double-Gate FETs Including Ballistic Corrections
Palestri, Pierpaolo;
2017
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