TCAD Mobility Model of III-V Short-Channel Double-Gate FETs Including Ballistic Corrections / Carapezzi, Stefania; Caruso, Enrico; Gnudi, Antonio; Palestri, Pierpaolo; Reggiani, Susanna; Gnani, Elena. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 64:12(2017), pp. 4882-4888. [10.1109/TED.2017.2759420]

TCAD Mobility Model of III-V Short-Channel Double-Gate FETs Including Ballistic Corrections

Palestri, Pierpaolo;
2017
2017
64
12
4882
4888
WOS:000417727500011
2-s2.0-85032230996
TCAD Mobility Model of III-V Short-Channel Double-Gate FETs Including Ballistic Corrections / Carapezzi, Stefania; Caruso, Enrico; Gnudi, Antonio; Palestri, Pierpaolo; Reggiani, Susanna; Gnani, Elena. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 64:12(2017), pp. 4882-4888. [10.1109/TED.2017.2759420]
Carapezzi, Stefania; Caruso, Enrico; Gnudi, Antonio; Palestri, Pierpaolo; Reggiani, Susanna; Gnani, Elena
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