Strained Silicon Complementary TFET SRAM: Experimental Demonstration and Simulations / Luong, G. V.; Strangio, S.; Tiedemann, A. T.; Bernardy, P.; Trellenkamp, S.; Palestri, P.; Mantl, S.; Zhao, Q. T.. - In: IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY. - ISSN 2168-6734. - 6:(2018), pp. 1033-1040. [10.1109/JEDS.2018.2825639]

Strained Silicon Complementary TFET SRAM: Experimental Demonstration and Simulations

Palestri, P.;
2018

2018
6
1033
1040
Strained Silicon Complementary TFET SRAM: Experimental Demonstration and Simulations / Luong, G. V.; Strangio, S.; Tiedemann, A. T.; Bernardy, P.; Trellenkamp, S.; Palestri, P.; Mantl, S.; Zhao, Q. T.. - In: IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY. - ISSN 2168-6734. - 6:(2018), pp. 1033-1040. [10.1109/JEDS.2018.2825639]
Luong, G. V.; Strangio, S.; Tiedemann, A. T.; Bernardy, P.; Trellenkamp, S.; Palestri, P.; Mantl, S.; Zhao, Q. T.
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

Licenza Creative Commons
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11380/1328098
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 32
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 27
social impact