Modeling 1/f and Lorenzian noise in III-V MOSFETs / Caruso, E.; Bettetti, F.; DEL LINZ, Leonida; Pin, D.; Segatto, M.; Palestri, P.. - 2019-:(2019), pp. 101-104. (Intervento presentato al convegno 24th International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD 2019 tenutosi a Palazzo di Toppo Wassermann, ita nel 2019) [10.1109/SISPAD.2019.8870548].

Modeling 1/f and Lorenzian noise in III-V MOSFETs

Palestri, P.
2019
2019
24th International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD 2019
Palazzo di Toppo Wassermann, ita
2019
WOS:000651583400025
2-s2.0-85074346619
2019-
101
104
Caruso, E.; Bettetti, F.; DEL LINZ, Leonida; Pin, D.; Segatto, M.; Palestri, P.
Modeling 1/f and Lorenzian noise in III-V MOSFETs / Caruso, E.; Bettetti, F.; DEL LINZ, Leonida; Pin, D.; Segatto, M.; Palestri, P.. - 2019-:(2019), pp. 101-104. (Intervento presentato al convegno 24th International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD 2019 tenutosi a Palazzo di Toppo Wassermann, ita nel 2019) [10.1109/SISPAD.2019.8870548].
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