New Hot Carrier degradation modeling reconsidering the role of EES in ultra short N-channel MOSFETs / Randriamihaja, Y; Federspiel, X; Huard, V; Bravaix, A; Palestri, Pierpaolo. - (2013), pp. XT.1.1-XT.1.5. (Intervento presentato al convegno 2013 IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2013 tenutosi a Monterey, CA, usa nel 2013) [10.1109/IRPS.2013.6532116].

New Hot Carrier degradation modeling reconsidering the role of EES in ultra short N-channel MOSFETs

PALESTRI, Pierpaolo
2013
2013
2013 IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2013
Monterey, CA, usa
2013
WOS:000325097500176
2-s2.0-84880968194
XT.1.1
XT.1.5
Randriamihaja, Y; Federspiel, X; Huard, V; Bravaix, A; Palestri, Pierpaolo
New Hot Carrier degradation modeling reconsidering the role of EES in ultra short N-channel MOSFETs / Randriamihaja, Y; Federspiel, X; Huard, V; Bravaix, A; Palestri, Pierpaolo. - (2013), pp. XT.1.1-XT.1.5. (Intervento presentato al convegno 2013 IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2013 tenutosi a Monterey, CA, usa nel 2013) [10.1109/IRPS.2013.6532116].
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