Flexible In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors With Sub-300-nm Channel Lengths Defined by Two-Photon Direct Laser Writing / Petti, L; Greco, E; Cantarella, G; Münzenrieder, N; Vogt, C; Troster, G. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 65:9(2018), pp. 3796-3802. [10.1109/TED.2018.2851926]

Flexible In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors With Sub-300-nm Channel Lengths Defined by Two-Photon Direct Laser Writing

Cantarella G;
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Flexible In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors With Sub-300-nm Channel Lengths Defined by Two-Photon Direct Laser Writing / Petti, L; Greco, E; Cantarella, G; Münzenrieder, N; Vogt, C; Troster, G. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 65:9(2018), pp. 3796-3802. [10.1109/TED.2018.2851926]
Petti, L; Greco, E; Cantarella, G; Münzenrieder, N; Vogt, C; Troster, G
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