Flexible In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors With Sub-300-nm Channel Lengths Defined by Two-Photon Direct Laser Writing / Petti, L; Greco, E; Cantarella, G; Münzenrieder, N; Vogt, C; Troster, G. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 65:9(2018), pp. 3796-3802. [10.1109/TED.2018.2851926]

Flexible In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors With Sub-300-nm Channel Lengths Defined by Two-Photon Direct Laser Writing

Cantarella G;
2018-01-01

65
9
3796
3802
Flexible In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors With Sub-300-nm Channel Lengths Defined by Two-Photon Direct Laser Writing / Petti, L; Greco, E; Cantarella, G; Münzenrieder, N; Vogt, C; Troster, G. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 65:9(2018), pp. 3796-3802. [10.1109/TED.2018.2851926]
Petti, L; Greco, E; Cantarella, G; Münzenrieder, N; Vogt, C; Troster, G
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

Licenza Creative Commons
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11380/1290909
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 10
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 8
social impact