T-CAD simulations study on drain leakage current and its correlation with gate current for AlGaN/GaN HEMTs / Miccoli, C.; Cerantonio, V.; Chini, A.; Iucolano, F.. - (2021), pp. 255-258. (Intervento presentato al convegno 8th Annual IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications, WiPDA 2021 tenutosi a California nel 7/9 november 2022) [10.1109/WiPDA49284.2021.9645150].
T-CAD simulations study on drain leakage current and its correlation with gate current for AlGaN/GaN HEMTs
Chini A.;
2021
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