EnglishA new simple model for tunnel electron injection into oxides has been proposed, alterative to the conventionQ! FowlerNordheim expression. The latter fails to predict oscillations in the curren't-voltage curves in ultra-thin oxides, due to the limits of the WKB approximation. Our model nicely fits the experimental I-V results and can be used to investigate ultra-thin film characteristics. Finally, we propose an empirical law correlating oxide thickness to the I-V oscillation period.
A new model for tunneling conduction in ultra-thin dielectrics / Larcher, L.; Paccagnella, A.; Scarpa, A.; Ghidini, G.. - (1998), pp. 316-319. ((Intervento presentato al convegno 28th European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 1998 tenutosi a fra nel 1998.
| Data di pubblicazione: | 1998 | |
| Titolo: | A new model for tunneling conduction in ultra-thin dielectrics | |
| Autore/i: | Larcher, L.; Paccagnella, A.; Scarpa, A.; Ghidini, G. | |
| Autore/i UNIMORE: | ||
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-84908156226 | |
| Nome del convegno: | 28th European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 1998 | |
| Luogo del convegno: | fra | |
| Data del convegno: | 1998 | |
| Serie: | PROCEEDINGS OF THE EUROPEAN SOLID STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE | |
| Pagina iniziale: | 316 | |
| Pagina finale: | 319 | |
| Citazione: | A new model for tunneling conduction in ultra-thin dielectrics / Larcher, L.; Paccagnella, A.; Scarpa, A.; Ghidini, G.. - (1998), pp. 316-319. ((Intervento presentato al convegno 28th European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 1998 tenutosi a fra nel 1998. | |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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