Ambipolar organic light-emitting transistors employing heterojunctions of n-type and p-type materials as the active layer / Capelli, R; Dinelli, F; LOI M., A; Murgia, M; Zamboni, R; Muccini, M. - In: JOURNAL OF PHYSICS. CONDENSED MATTER. - ISSN 0953-8984. - 18:33(2006), pp. S2127-S2138. [10.1088/0953-8984/18/33/S28]
Ambipolar organic light-emitting transistors employing heterojunctions of n-type and p-type materials as the active layer
CAPELLI R;
2006
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris
