Ambipolar field-effect transistor based on a,x-dihexylquaterthiophene and a,x -diperfluoroquaterthiophene vertical heterojunction / Generali, G; Capelli, R; Toffanin, S; Facchetti, A; Muccini, M. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - 50:9-11(2010), pp. 1861-1865. [10.1016/j.microrel.2010.07.047]
Ambipolar field-effect transistor based on a,x-dihexylquaterthiophene and a,x -diperfluoroquaterthiophene vertical heterojunction
Capelli R;
2010
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris
