Ambipolar field-effect transistor based on a,x-dihexylquaterthiophene and a,x -diperfluoroquaterthiophene vertical heterojunction / Generali, G; Capelli, R; Toffanin, S; Facchetti, A; Muccini, M. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - 50:(2010), pp. 1861-1865. [10.1016/j.microrel.2010.07.047]
Ambipolar field-effect transistor based on a,x-dihexylquaterthiophene and a,x -diperfluoroquaterthiophene vertical heterojunction
Capelli R;
2010-01-01
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