Ambipolar field-effect transistor based on a,x-dihexylquaterthiophene and a,x -diperfluoroquaterthiophene vertical heterojunction / Generali, G; Capelli, R; Toffanin, S; Facchetti, A; Muccini, M. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - 50(2010), pp. 1861-1865.
Data di pubblicazione: | 2010 |
Titolo: | Ambipolar field-effect transistor based on a,x-dihexylquaterthiophene and a,x -diperfluoroquaterthiophene vertical heterojunction |
Autore/i: | Generali, G; Capelli, R; Toffanin, S; Facchetti, A; Muccini, M |
Autore/i UNIMORE: | |
Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2010.07.047 |
Rivista: | |
Volume: | 50 |
Pagina iniziale: | 1861 |
Pagina finale: | 1865 |
Codice identificativo ISI: | WOS:000282607400130 |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-79952204706 |
Citazione: | Ambipolar field-effect transistor based on a,x-dihexylquaterthiophene and a,x -diperfluoroquaterthiophene vertical heterojunction / Generali, G; Capelli, R; Toffanin, S; Facchetti, A; Muccini, M. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - 50(2010), pp. 1861-1865. |
Tipologia | Articolo su rivista |
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