Ambipolar field-effect transistor based on
a,x-dihexylquaterthiophene
and a,x
-diperfluoroquaterthiophene vertical heterojunction

Generali, G; Capelli, R; Toffanin, S; Facchetti, A; Muccini, M

doi:10.1016/j.microrel.2010.07.047

Ambipolar field-effect transistor based on a,x-dihexylquaterthiophene and a,x -diperfluoroquaterthiophene vertical heterojunction / Generali, G; Capelli, R; Toffanin, S; Facchetti, A; Muccini, M. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - 50(2010), pp. 1861-1865.

Data di pubblicazione:	2010
Titolo:	Ambipolar field-effect transistor based on a,x-dihexylquaterthiophene and a,x -diperfluoroquaterthiophene vertical heterojunction
Autore/i:	Generali, G; Capelli, R; Toffanin, S; Facchetti, A; Muccini, M
Autore/i UNIMORE:	Generali G CAPELLI, Raffaella Toffanin S Facchetti A Muccini M mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2010.07.047
Rivista:	MICROELECTRONICS RELIABILITY
Volume:	50
Pagina iniziale:	1861
Pagina finale:	1865
Codice identificativo ISI:	WOS:000282607400130
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-79952204706
Citazione:	Ambipolar field-effect transistor based on a,x-dihexylquaterthiophene and a,x -diperfluoroquaterthiophene vertical heterojunction / Generali, G; Capelli, R; Toffanin, S; Facchetti, A; Muccini, M. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - 50(2010), pp. 1861-1865.
Tipologia	Articolo su rivista

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http://hdl.handle.net/11380/1176676

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