Effects of constant voltage stress on p- and n-type organic thin film transistors with poly(methyl methacrylate) gate dielectric

Wrachien, N; Cester, A; Bari, D; Capelli, R; D’Alpaos, R; Muccini, M; Stefani, A; Turatti, G; Meneghesso, G

doi:10.1016/j.microrel.2013.07.085

We performed constant voltage stress on oligothiophene-based p- and n-type organic thin-film-transistors, in the accumulation regime. The stress induced charge trapping, mobility degradation and defect generation. The specific kinetics depends not only on the applied bias value and polarity, but also on the semiconductor type. Stress on PMMA capacitors (without the semiconductor film) revealed that most of the degradation is largely originated by the interaction with the semiconductor layer, which enhances charge injection

Data di pubblicazione:	2013
Titolo:	Effects of constant voltage stress on p- and n-type organic thin film transistors with poly(methyl methacrylate) gate dielectric
Autore/i:	Wrachien, N; Cester, A; Bari, D; Capelli, R; D’Alpaos, R; Muccini, M; Stefani, A; Turatti, G; Meneghesso, G
Autore/i UNIMORE:	Wrachien N Cester A Bari D CAPELLI, Raffaella D’Alpaos R Muccini M Stefani A Turatti G Meneghesso G mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2013.07.085
Rivista:	MICROELECTRONICS RELIABILITY
Volume:	53
Pagina iniziale:	1798
Pagina finale:	1803
Codice identificativo ISI:	WOS:000328588000127
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-84886935922
Citazione:	Effects of constant voltage stress on p- and n-type organic thin film transistors with poly(methyl methacrylate) gate dielectric / Wrachien, N; Cester, A; Bari, D; Capelli, R; D’Alpaos, R; Muccini, M; Stefani, A; Turatti, G; Meneghesso, G. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - 53(2013), pp. 1798-1803.
Tipologia	Articolo su rivista

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http://hdl.handle.net/11380/1176673

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