Hot Carrier Effects in MOS capacitors: Improvements in Coupled Monte Carlo Simulations of Si and SiO2 Transport / P., Rigolli; M., Manfredi; M., Pavesi; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca. - STAMPA. - (2000), pp. 7-7. (Intervento presentato al convegno Istituto nazionale per la fisica della materia (INFM) Workshop tenutosi a Genova (Italia) nel Giugno 2000).
Hot Carrier Effects in MOS capacitors: Improvements in Coupled Monte Carlo Simulations of Si and SiO2 Transport
PALESTRI, Pierpaolo;SELMI, Luca
2000
File in questo prodotto:
File | Dimensione | Formato | |
---|---|---|---|
2000_06_INFM_Rigolli_HotCarrierEffects.pdf
Accesso riservato
Dimensione
78.48 kB
Formato
Adobe PDF
|
78.48 kB | Adobe PDF | Visualizza/Apri Richiedi una copia |
Pubblicazioni consigliate
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris