EnglishHot Carrier Effects in MOS capacitors: Improvements in Coupled Monte Carlo Simulations of Si and SiO2 Transport / P., Rigolli; M., Manfredi; M., Pavesi; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca. - STAMPA. - (2000), pp. 7-7. ((Intervento presentato al convegno Istituto nazionale per la fisica della materia (INFM) Workshop tenutosi a Genova (Italia) nel Giugno 2000.
| Data di pubblicazione: | 2000 |
| Autore/i: | P., Rigolli; M., Manfredi; M., Pavesi; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca |
| Titolo: | Hot Carrier Effects in MOS capacitors: Improvements in Coupled Monte Carlo Simulations of Si and SiO2 Transport |
| Nome del convegno: | Istituto nazionale per la fisica della materia (INFM) Workshop |
| Luogo del convegno: | Genova (Italia) |
| Data del convegno: | Giugno 2000 |
| Citazione: | Hot Carrier Effects in MOS capacitors: Improvements in Coupled Monte Carlo Simulations of Si and SiO2 Transport / P., Rigolli; M., Manfredi; M., Pavesi; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca. - STAMPA. - (2000), pp. 7-7. ((Intervento presentato al convegno Istituto nazionale per la fisica della materia (INFM) Workshop tenutosi a Genova (Italia) nel Giugno 2000. |
| Tipologia | Abstract in Atti di Convegno |
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| 2000_06_INFM_Rigolli_HotCarrierEffects.pdf | N/A | Administrator Richiedi una copia |
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