Closed-form transition rate in hopping conduction

Piccinini, Enrico; Rudan, Massimo; Brunetti, Rossella

doi:10.1109/ESSDERC.2016.7599649

A general expression is worked out for the trap-to-trap transition probability per unit time, applicable to amorphous materials where charge conduction is dominated by localized states. The outcome is a closed-form expression involving temperature and local electric potential. It is suitable for inclusion into hydrodynamic or energy-balance numerical solvers to be used for simulating devices based on amorphous materials.

Closed-form transition rate in hopping conduction / Piccinini, Enrico; Rudan, Massimo; Brunetti, Rossella. - STAMPA. - 124372(2016), pp. 315-318. ((Intervento presentato al convegno European Solid-State Device Research Conference tenutosi a Lausanne; Switzerland nel 12 September 2016 through 15 September 2016 [10.1109/ESSDERC.2016.7599649].

Data di pubblicazione:	2016
Data di prima pubblicazione:	18-ott-2016
Titolo:	Closed-form transition rate in hopping conduction
Autore/i:	Piccinini, Enrico; Rudan, Massimo; Brunetti, Rossella
Autore/i UNIMORE:	Piccinini, Enrico Rudan, Massimo BRUNETTI, Rossella mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/ESSDERC.2016.7599649
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-84994391663
Codice identificativo ISI:	WOS:000386655900075
Nome del convegno:	European Solid-State Device Research Conference
Luogo del convegno:	Lausanne; Switzerland
Data del convegno:	12 September 2016 through 15 September 2016
Volume:	124372
Pagina iniziale:	315
Pagina finale:	318
Citazione:	Closed-form transition rate in hopping conduction / Piccinini, Enrico; Rudan, Massimo; Brunetti, Rossella. - STAMPA. - 124372(2016), pp. 315-318. ((Intervento presentato al convegno European Solid-State Device Research Conference tenutosi a Lausanne; Switzerland nel 12 September 2016 through 15 September 2016 [10.1109/ESSDERC.2016.7599649].
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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