A general expression is worked out for the trap-to-trap transition probability per unit time, applicable to amorphous materials where charge conduction is dominated by localized states. The outcome is a closed-form expression involving temperature and local electric potential. It is suitable for inclusion into hydrodynamic or energy-balance numerical solvers to be used for simulating devices based on amorphous materials.
Data di pubblicazione: | 2016 |
Titolo: | Closed-form transition rate in hopping conduction |
Autore/i: | Piccinini, Enrico; Rudan, Massimo; Brunetti, Rossella |
Autore/i UNIMORE: | |
Digital Object Identifier (DOI): | 10.1109/ESSDERC.2016.7599649 |
Nome del convegno: | European Solid-State Device Research Conference |
Luogo del convegno: | Lausanne; Switzerland |
Data del convegno: | 12 September 2016 through 15 September 2016 |
Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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