EnglishA general expression is worked out for the trap-to-trap transition probability per unit time, applicable to amorphous materials where charge conduction is dominated by localized states. The outcome is a closed-form expression involving temperature and local electric potential. It is suitable for inclusion into hydrodynamic or energy-balance numerical solvers to be used for simulating devices based on amorphous materials.
| Data di pubblicazione: | 2016 |
| Titolo: | Closed-form transition rate in hopping conduction |
| Autore/i: | Piccinini, Enrico; Rudan, Massimo; Brunetti, Rossella |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Digital Object Identifier (DOI): | 10.1109/ESSDERC.2016.7599649 |
| Nome del convegno: | European Solid-State Device Research Conference |
| Luogo del convegno: | Lausanne; Switzerland |
| Data del convegno: | 12 September 2016 through 15 September 2016 |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
http://hdl.handle.net/11380/1135062
I documenti presenti in Iris Unimore sono rilasciati con licenza Creative Commons Attribuzione - Non commerciale - Non opere derivate 3.0 Italia, salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris
Copyright © 2019