Extraction of the Defect Distributions in DRAM Capacitor Using I-V and C-V Sensitivity Maps

Sereni, Gabriele; Larcher, Luca; Kaczer, Ben; Popovici, Mihaela Ioana

doi:10.1109/LED.2016.2601012

We propose a novel spectroscopic technique that allows determining the defect density distributions within metal-electrode-sandwiched dielectric based on J-V and C-V characteristics. The technique relies on determining "sensitivity regions" corresponding to the energy-spatial coordinates of defects affecting J-V and C-V curves. This technique is then demonstrated on RuOx/SrTiOx/RuOx metal-insulator-metal structures for DRAM capacitor applications.

Extraction of the Defect Distributions in DRAM Capacitor Using I-V and C-V Sensitivity Maps / Sereni, Gabriele; Larcher, Luca; Kaczer, Ben; Popovici, Mihaela Ioana. - In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. - ISSN 0741-3106. - 37:10(2016), pp. 1280-1283. [10.1109/LED.2016.2601012]

Data di pubblicazione:	2016
Titolo:	Extraction of the Defect Distributions in DRAM Capacitor Using I-V and C-V Sensitivity Maps
Autore/i:	Sereni, Gabriele; Larcher, Luca; Kaczer, Ben; Popovici, Mihaela Ioana
Autore/i UNIMORE:	SERENI, GABRIELE LARCHER, Luca Kaczer, Ben Popovici, Mihaela Ioana mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/LED.2016.2601012
Rivista:	IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
Volume:	37
Fascicolo:	10
Pagina iniziale:	1280
Pagina finale:	1283
Codice identificativo ISI:	WOS:000385371100006
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-84989908784
Citazione:	Extraction of the Defect Distributions in DRAM Capacitor Using I-V and C-V Sensitivity Maps / Sereni, Gabriele; Larcher, Luca; Kaczer, Ben; Popovici, Mihaela Ioana. - In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. - ISSN 0741-3106. - 37:10(2016), pp. 1280-1283. [10.1109/LED.2016.2601012]
Tipologia	Articolo su rivista

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