EnglishWe propose a novel spectroscopic technique that allows determining the defect density distributions within metal-electrode-sandwiched dielectric based on J-V and C-V characteristics. The technique relies on determining "sensitivity regions" corresponding to the energy-spatial coordinates of defects affecting J-V and C-V curves. This technique is then demonstrated on RuOx/SrTiOx/RuOx metal-insulator-metal structures for DRAM capacitor applications.
Extraction of the Defect Distributions in DRAM Capacitor Using I-V and C-V Sensitivity Maps / Sereni, Gabriele; Larcher, Luca; Kaczer, Ben; Popovici, Mihaela Ioana. - In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. - ISSN 0741-3106. - 37:10(2016), pp. 1280-1283.
| Data di pubblicazione: | 2016 |
| Titolo: | Extraction of the Defect Distributions in DRAM Capacitor Using I-V and C-V Sensitivity Maps |
| Autore/i: | Sereni, Gabriele; Larcher, Luca; Kaczer, Ben; Popovici, Mihaela Ioana |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/LED.2016.2601012 |
| Rivista: | |
| Volume: | 37 |
| Fascicolo: | 10 |
| Pagina iniziale: | 1280 |
| Pagina finale: | 1283 |
| Codice identificativo ISI: | WOS:000385371100006 |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-84989908784 |
| Citazione: | Extraction of the Defect Distributions in DRAM Capacitor Using I-V and C-V Sensitivity Maps / Sereni, Gabriele; Larcher, Luca; Kaczer, Ben; Popovici, Mihaela Ioana. - In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. - ISSN 0741-3106. - 37:10(2016), pp. 1280-1283. |
| Tipologia | Articolo su rivista |
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http://hdl.handle.net/11380/1131090
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