An ab initio simulation study of SiC homoepitaxial growth is presented. It is shown that the nonstoichiometric reconstruction plays a relevant role in favoring the attainment of high-quality films. It is observed that the energy gain upon surface stability can induce the reorganization of the deposited material into the crystalline structure, thus revealing that a surface-driven mechanism is able to stabilize defect-free layer deposition on Si-rich surfaces.
Ab initio Simulations of Homoepitaxial SiC Growth / RIGHI, Maria Clelia; Pignedoli, C. A.; Di Felice, R.; BERTONI, Carlo Maria; Catellani, A.. - In: PHYSICAL REVIEW LETTERS. - ISSN 0031-9007. - 91(2003), pp. 1361011-1361014. [10.1103/PhysRevLett.91.136101]
Data di pubblicazione: | 2003 | |
Titolo: | Ab initio Simulations of Homoepitaxial SiC Growth | |
Autore/i: | RIGHI, Maria Clelia; Pignedoli, C. A.; Di Felice, R.; BERTONI, Carlo Maria; Catellani, A. | |
Autore/i UNIMORE: | ||
Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.91.136101 | |
Rivista: | ||
Volume: | 91 | |
Pagina iniziale: | 1361011 | |
Pagina finale: | 1361014 | |
Codice identificativo ISI: | WOS:000185573700032 | |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0242384250 | |
Codice identificativo Pubmed: | 14525319 | |
Citazione: | Ab initio Simulations of Homoepitaxial SiC Growth / RIGHI, Maria Clelia; Pignedoli, C. A.; Di Felice, R.; BERTONI, Carlo Maria; Catellani, A.. - In: PHYSICAL REVIEW LETTERS. - ISSN 0031-9007. - 91(2003), pp. 1361011-1361014. [10.1103/PhysRevLett.91.136101] | |
Tipologia | Articolo su rivista |
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