EnglishAn ab initio simulation study of SiC homoepitaxial growth is presented. It is shown that the nonstoichiometric reconstruction plays a relevant role in favoring the attainment of high-quality films. It is observed that the energy gain upon surface stability can induce the reorganization of the deposited material into the crystalline structure, thus revealing that a surface-driven mechanism is able to stabilize defect-free layer deposition on Si-rich surfaces.
| Data di pubblicazione: | 2003 |
| Titolo: | Ab initio Simulations of Homoepitaxial SiC Growth |
| Autore/i: | Righi, Maria Clelia; Pignedoli, C. A.; Di Felice, R.; Bertoni, Carlo Maria; Catellani, A. |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Digital Object Identifier (DOI): | 10.1103/PhysRevLett.91.136101 |
| Rivista: | |
| Volume: | 91 |
| Pagina iniziale: | 1361011 |
| Pagina finale: | 1361014 |
| Codice identificativo ISI: | WOS:000185573700032 |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0242384250 |
| Citazione: | Ab initio Simulations of Homoepitaxial SiC Growth / Righi, Maria Clelia; Pignedoli, C. A.; Di Felice, R.; Bertoni, Carlo Maria; Catellani, A.. - In: PHYSICAL REVIEW LETTERS. - ISSN 0031-9007. - 91(2003), pp. 1361011-1361014. |
| Tipologia | Articolo su rivista |
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http://hdl.handle.net/11380/1115947
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