Record performance at 4GHz has been obtained by using field plated AIGaN/GaN HEMTs. For devices on sapphire substrate, high power density (12W/mm) as well as high efficiency (58%) have been measured. Devices on Sic substrate yielded power density up to I8.8W/mm and efficiency up to 74% (with 6Whm). Excellent linearity performance was also achieved: while maintaining a carrier to third-order intermodulation ratio of 30dBc device yielded 2.4W/mm with 53% PAE.
High performance AlGaN/GaN HEMTs with a field plated gate structure / Chini, Alessandro; Buttari, D.; Coffie, R.; Shen, L.; Heikman, S.; Chakraborty, A.; Keller, S.; Mishra, U. K.. - (2003), pp. 434-435. ((Intervento presentato al convegno International Semiconductor Device Research Symposium, ISDRS 2003 tenutosi a Holiday Inn Georgetown, (USA) nel 10-12 Dec. 2003 [10.1109/ISDRS.2003.1272169].
Data di pubblicazione: | 2003 | |
Titolo: | High performance AlGaN/GaN HEMTs with a field plated gate structure | |
Autore/i: | Chini, Alessandro; Buttari, D.; Coffie, R.; Shen, L.; Heikman, S.; Chakraborty, A.; Keller, S.; Mishra, U. K. | |
Autore/i UNIMORE: | ||
Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/ISDRS.2003.1272169 | |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-33749242021 | |
Nome del convegno: | International Semiconductor Device Research Symposium, ISDRS 2003 | |
Luogo del convegno: | Holiday Inn Georgetown, (USA) | |
Data del convegno: | 10-12 Dec. 2003 | |
Pagina iniziale: | 434 | |
Pagina finale: | 435 | |
Citazione: | High performance AlGaN/GaN HEMTs with a field plated gate structure / Chini, Alessandro; Buttari, D.; Coffie, R.; Shen, L.; Heikman, S.; Chakraborty, A.; Keller, S.; Mishra, U. K.. - (2003), pp. 434-435. ((Intervento presentato al convegno International Semiconductor Device Research Symposium, ISDRS 2003 tenutosi a Holiday Inn Georgetown, (USA) nel 10-12 Dec. 2003 [10.1109/ISDRS.2003.1272169]. | |
Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
File in questo prodotto:
Pubblicazioni consigliate

I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris