High performance AlGaN/GaN HEMTs with a field plated gate structure

Chini, Alessandro; Buttari, D.; Coffie, R.; Shen, L.; Heikman, S.; Chakraborty, A.; Keller, S.; Mishra, U. K.

doi:10.1109/ISDRS.2003.1272169

Record performance at 4GHz has been obtained by using field plated AIGaN/GaN HEMTs. For devices on sapphire substrate, high power density (12W/mm) as well as high efficiency (58%) have been measured. Devices on Sic substrate yielded power density up to I8.8W/mm and efficiency up to 74% (with 6Whm). Excellent linearity performance was also achieved: while maintaining a carrier to third-order intermodulation ratio of 30dBc device yielded 2.4W/mm with 53% PAE.

High performance AlGaN/GaN HEMTs with a field plated gate structure / Chini, Alessandro; Buttari, D.; Coffie, R.; Shen, L.; Heikman, S.; Chakraborty, A.; Keller, S.; Mishra, U. K.. - (2003), pp. 434-435. ((Intervento presentato al convegno International Semiconductor Device Research Symposium, ISDRS 2003 tenutosi a Holiday Inn Georgetown, (USA) nel 10-12 Dec. 2003 [10.1109/ISDRS.2003.1272169].

Data di pubblicazione:	2003
Titolo:	High performance AlGaN/GaN HEMTs with a field plated gate structure
Autore/i:	Chini, Alessandro; Buttari, D.; Coffie, R.; Shen, L.; Heikman, S.; Chakraborty, A.; Keller, S.; Mishra, U. K.
Autore/i UNIMORE:	CHINI, Alessandro Buttari, D. Coffie, R. Shen, L. Heikman, S. Chakraborty, A. Keller, S. Mishra, U. K. mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/ISDRS.2003.1272169
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-33749242021
Nome del convegno:	International Semiconductor Device Research Symposium, ISDRS 2003
Luogo del convegno:	Holiday Inn Georgetown, (USA)
Data del convegno:	10-12 Dec. 2003
Pagina iniziale:	434
Pagina finale:	435
Citazione:	High performance AlGaN/GaN HEMTs with a field plated gate structure / Chini, Alessandro; Buttari, D.; Coffie, R.; Shen, L.; Heikman, S.; Chakraborty, A.; Keller, S.; Mishra, U. K.. - (2003), pp. 434-435. ((Intervento presentato al convegno International Semiconductor Device Research Symposium, ISDRS 2003 tenutosi a Holiday Inn Georgetown, (USA) nel 10-12 Dec. 2003 [10.1109/ISDRS.2003.1272169].
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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