EnglishRecord performance at 4GHz has been obtained by using field plated AIGaN/GaN HEMTs. For devices on sapphire substrate, high power density (12W/mm) as well as high efficiency (58%) have been measured. Devices on Sic substrate yielded power density up to I8.8W/mm and efficiency up to 74% (with 6Whm). Excellent linearity performance was also achieved: while maintaining a carrier to third-order intermodulation ratio of 30dBc device yielded 2.4W/mm with 53% PAE.
| Data di pubblicazione: | 2003 |
| Titolo: | High performance AlGaN/GaN HEMTs with a field plated gate structure |
| Autore/i: | Chini, A.; Buttari, D.; Coffie, R.; Shen, L.; Heikman, S.; Chakraborty, A.; Keller, S.; Mishra, U. K. |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Digital Object Identifier (DOI): | 10.1109/ISDRS.2003.1272169 |
| Nome del convegno: | International Semiconductor Device Research Symposium, ISDRS 2003 |
| Luogo del convegno: | Holiday Inn Georgetown, (USA) |
| Data del convegno: | 10-12 Dec. 2003 |
| Citazione: | High performance AlGaN/GaN HEMTs with a field plated gate structure / Chini, A.; Buttari, D.; Coffie, R.; Shen, L.; Heikman, S.; Chakraborty, A.; Keller, S.; Mishra, U. K.. - (2003), pp. 434-435. ((Intervento presentato al convegno International Semiconductor Device Research Symposium, ISDRS 2003 tenutosi a Holiday Inn Georgetown, (USA) nel 10-12 Dec. 2003. |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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