In this work, we have investigated a novel quasi-enhancement mode Pd gate delta-doped InGaAs/InAlAs pHEMT, which has the advantages of high breakdown voltage.
Effects of Thermal Annealing on Current Degradation in Enhancement Mode Pd gate InAlAs/InGaAs/InP pHEMTs / Lai, Y.; Ian, K. W.; Bisi, Davide; Chini, Alessandro; Missous, M.. - (2011). (Intervento presentato al convegno 20th European Workshop on Heterostructure Technology - HETECH 2011 tenutosi a Lille, France nel 7-9 Nov 2011).
Effects of Thermal Annealing on Current Degradation in Enhancement Mode Pd gate InAlAs/InGaAs/InP pHEMTs
BISI, DAVIDE;CHINI, Alessandro;
2011
Abstract
In this work, we have investigated a novel quasi-enhancement mode Pd gate delta-doped InGaAs/InAlAs pHEMT, which has the advantages of high breakdown voltage.
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