Nanodevices in flatland: Two-dimensional graphene-based transistors with high I on/I off ratio

Fiori, G; Betti, A.; Bruzzone, S.; D'Amico, Pino; Iannaccone, G.

doi:10.1109/IEDM.2011.6131533

We present a multi-scale investigation of graphene-based transistors with a hexagonal boron-carbon-nitride (h-BCN) barrier in the channel. Our approach exploits ab-initio calculations for an accurate extraction of energy bands and tight-binding simulations in order to compute charge transport. We show that the h-BCN barrier inhibits the ambipolar behavior of graphene transistors, leading to a large Ion/Ioff ratio, within the ITRS roadmap specifications for future semiconductor technology nodes.

Nanodevices in flatland: Two-dimensional graphene-based transistors with high I on/I off ratio / Fiori, G; Betti, A.; Bruzzone, S.; D'Amico, Pino; Iannaccone, G.. - (2011), pp. 11.4.1-11.4.4. ((Intervento presentato al convegno Electron Devices Meeting (IEDM) tenutosi a Washington, DC nel 5-7 Dec. 2011 [10.1109/IEDM.2011.6131533].

Data di pubblicazione:	2011
Titolo:	Nanodevices in flatland: Two-dimensional graphene-based transistors with high I on/I off ratio
Autore/i:	Fiori, G; Betti, A.; Bruzzone, S.; D'Amico, Pino; Iannaccone, G.
Autore/i UNIMORE:	Fiori, G Betti, A. Bruzzone, S. D'AMICO, PINO Iannaccone, G. mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/IEDM.2011.6131533
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-84856983318
Codice identificativo ISI:	WOS:000300015300065
Nome del convegno:	Electron Devices Meeting (IEDM)
Luogo del convegno:	Washington, DC
Data del convegno:	5-7 Dec. 2011
Pagina iniziale:	11.4.1
Pagina finale:	11.4.4
Citazione:	Nanodevices in flatland: Two-dimensional graphene-based transistors with high I on/I off ratio / Fiori, G; Betti, A.; Bruzzone, S.; D'Amico, Pino; Iannaccone, G.. - (2011), pp. 11.4.1-11.4.4. ((Intervento presentato al convegno Electron Devices Meeting (IEDM) tenutosi a Washington, DC nel 5-7 Dec. 2011 [10.1109/IEDM.2011.6131533].
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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