We present a multi-scale investigation of graphene-based transistors with a hexagonal boron-carbon-nitride (h-BCN) barrier in the channel. Our approach exploits ab-initio calculations for an accurate extraction of energy bands and tight-binding simulations in order to compute charge transport. We show that the h-BCN barrier inhibits the ambipolar behavior of graphene transistors, leading to a large Ion/Ioff ratio, within the ITRS roadmap specifications for future semiconductor technology nodes.
Nanodevices in flatland: Two-dimensional graphene-based transistors with high I on/I off ratio / Fiori, G; Betti, A.; Bruzzone, S.; D'Amico, Pino; Iannaccone, G.. - (2011), pp. 11.4.1-11.4.4. ((Intervento presentato al convegno Electron Devices Meeting (IEDM) tenutosi a Washington, DC nel 5-7 Dec. 2011 [10.1109/IEDM.2011.6131533].
Data di pubblicazione: | 2011 | |
Titolo: | Nanodevices in flatland: Two-dimensional graphene-based transistors with high I on/I off ratio | |
Autore/i: | Fiori, G; Betti, A.; Bruzzone, S.; D'Amico, Pino; Iannaccone, G. | |
Autore/i UNIMORE: | ||
Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/IEDM.2011.6131533 | |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-84856983318 | |
Codice identificativo ISI: | WOS:000300015300065 | |
Nome del convegno: | Electron Devices Meeting (IEDM) | |
Luogo del convegno: | Washington, DC | |
Data del convegno: | 5-7 Dec. 2011 | |
Pagina iniziale: | 11.4.1 | |
Pagina finale: | 11.4.4 | |
Citazione: | Nanodevices in flatland: Two-dimensional graphene-based transistors with high I on/I off ratio / Fiori, G; Betti, A.; Bruzzone, S.; D'Amico, Pino; Iannaccone, G.. - (2011), pp. 11.4.1-11.4.4. ((Intervento presentato al convegno Electron Devices Meeting (IEDM) tenutosi a Washington, DC nel 5-7 Dec. 2011 [10.1109/IEDM.2011.6131533]. | |
Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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