EnglishWe present a multi-scale investigation of graphene-based transistors with a hexagonal boron-carbon-nitride (h-BCN) barrier in the channel. Our approach exploits ab-initio calculations for an accurate extraction of energy bands and tight-binding simulations in order to compute charge transport. We show that the h-BCN barrier inhibits the ambipolar behavior of graphene transistors, leading to a large Ion/Ioff ratio, within the ITRS roadmap specifications for future semiconductor technology nodes.
| Data di pubblicazione: | 2011 |
| Titolo: | Nanodevices in flatland: Two-dimensional graphene-based transistors with high I on/I off ratio |
| Autore/i: | Fiori, G; Betti, A.; Bruzzone, S.; D'Amico, Pino; Iannaccone, G. |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/IEDM.2011.6131533 |
| Nome del convegno: | Electron Devices Meeting (IEDM) |
| Luogo del convegno: | Washington, DC |
| Data del convegno: | 5-7 Dec. 2011 |
| Pagina iniziale: | 11.4.1 |
| Pagina finale: | 11.4.4 |
| Citazione: | Nanodevices in flatland: Two-dimensional graphene-based transistors with high I on/I off ratio / Fiori, G; Betti, A.; Bruzzone, S.; D'Amico, Pino; Iannaccone, G.. - (2011), pp. 11.4.1-11.4.4. ((Intervento presentato al convegno Electron Devices Meeting (IEDM) tenutosi a Washington, DC nel 5-7 Dec. 2011. |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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http://hdl.handle.net/11380/1077503
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