Ce papier présente la conception d’un convertisseur de fréquences doublement équilibré en bande K pour une conversion de 21GHz vers 1GHz. Pour piloter efficacement le mélangeur résistif constitué de 4 transistors nMOS « froids », le signal d’oscillateur local (OL) est mis en forme par deux générateurs d’impulsion fonctionnant à 20GHz. Ce principe conduit à de faibles pertes de conversion, simulées au niveau du dessin des masques à -2.2dB pour le mélangeur et à 12.7dB pour le convertisseur complet. Ce convertisseur a été réalisé avec la technologie SiGe 0.13 μm BiCMOS de IBM.
Convertisseur des fréquences BiCMOS en band K basé sur un mélange passif à faibles pertes / A., Magnani; T., Esper; C., Viallon; Borgarino, Mattia; T., Parra. - ELETTRONICO. - 1:(2013), pp. n.a.-n.a.. (Intervento presentato al convegno 18èmes Journées Nationales Microondes tenutosi a Paris nel 14-17 mai 2013).
Convertisseur des fréquences BiCMOS en band K basé sur un mélange passif à faibles pertes
BORGARINO, Mattia;
2013
Abstract
Ce papier présente la conception d’un convertisseur de fréquences doublement équilibré en bande K pour une conversion de 21GHz vers 1GHz. Pour piloter efficacement le mélangeur résistif constitué de 4 transistors nMOS « froids », le signal d’oscillateur local (OL) est mis en forme par deux générateurs d’impulsion fonctionnant à 20GHz. Ce principe conduit à de faibles pertes de conversion, simulées au niveau du dessin des masques à -2.2dB pour le mélangeur et à 12.7dB pour le convertisseur complet. Ce convertisseur a été réalisé avec la technologie SiGe 0.13 μm BiCMOS de IBM.
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